NAND-Flash-Speicherchips aus der 25-Nanometer-Fertigung

IM Flash Technologies stellt erstmals 64-Gigabit-(8-GByte-)NAND-Flash-Speicherchips in einem 25-Nanometer-Fertigungsprozess her. Bisher gibt es erst Testmuster dieses Multi-Level-Cell-(MLC-)NAND-Flashes, doch die Serienfertigung soll im zweiten Quartal 2010 bei dem von Intel und Micron betriebenen Joint Venture anlaufen. Ab dann lösen die neuen Speicherchips, die 167 Quadratmillimeter Fläche belegen, ihre 34-Nanometer-Vorgänger ab, die auf 172 Quadratmillimeten bloß 32 GBit (4 GByte) an Daten speichern. Intel und Micron fertigen aus den einzelnen Dice auch Multi-Die-Packages mit höheren Kapazitäten.

Die 34-nm-Produkte hatte IM Flash im Mai 2008 für Ende 2008 angekündigt, Solid-State Disks (SSDs) mit 34-nm-Chips waren aber dann doch erst in der zweiten Hälfte des vergangenen Jahres 2009 erhältlich. Von der angeblich besonders schnellen RealSSD C300 kann Micron noch nicht einmal Testmuster liefern, auch von den Ende 2008 versprochenen PCIe-SSDs ist noch nichts zu sehen.

Im Sommer 2009 hatte IM Flash auch einen 32-GBit-Chip mit 32-nm-Strukture angekündigt, bei dem jede Zelle drei Bits speichert – solche fertigen etwa auch Samsung, SanDisk und Toshiba. Ein wenig scheinen sich Intel und Micron verspätet zu haben: Bei der Ankündigung des x3-MLC-Chips war die Ankündigung des 25-nm-Chips noch 2009 erwartet worden. Von den 34-nm-MLC-NAND-Flashes will IM Flash auch besonders robuste Varianten fertigen.

(ciw)