Rambus kĂĽndigt "R+"-Version von LPDDR3-SDRAM an
Durch einige proprietäre Verbesserungen wie eine verminderte Signalspannung soll "R+ LPDDR3" bei Zugriffen deutlich weniger Energie schlucken als herkömmliches LPDDR3-SDRAM.
Das von hohen Verlusten geplagte US-Unternehmen Rambus machte jahrelang vor allem mit Patentstreitigkeiten von sich reden, entwickelt aber weiterhin technische Verfahren für Hauptspeicher (DRAM) oder auch IP-Cores für I/O-Verfahren wie PCI Express – und LED-Leuchtmittel. Nun kündigt Rambus eine technische Neuheit für DRAM an, die unter anderem mehrere schon bekannte Verfahren wie das zehn Jahre alte FlexPhase nutzt: R+. Als erste Inkarnation solle es "R+ LPDDR3 " geben.
Genaue technische Details veröffentlicht Rambus nicht, man kann aber Informationen anfordern. Einige Punkte werden etwas näher beleuchtet: Ein R+-tauglicher DRAM-Controller ist zum Einbau in SoCs gedacht. Er unterstützt auf Wunsch auch LPDDR2- und LPDDR3-SDRAM. Im R+-Modus sollen bis zu 1,6 GHz DDR möglich sein, also 3,2 Gigatransfers pro Sekunde. Die Leistungsaufnahme der DRAM-Chips kann bei Zugriffen um bis zu 30 Prozent sinken, weil R+ mit niedrigeren Spannungspegeln arbeitet, nämlich mit 0,3 statt 1,2 Volt. (ciw)
