Infineon liefert DDR3-SDRAM-Speicherchips in Mustermengen aus
Während die DDR2-Bausteine aus Großserienproduktion noch 400 MHz Taktfrequenz erreichen sollen (DDR2-800/PC2-6400), will man mit DDR3-Chips bei dieser Taktfrequenz starten und schnell 533 MHz (DDR3-1066) erreichen, möglicherweise sogar bis zu 800 MHz.
Von
Als nach eigenen Angaben weltweit erster Hersteller liefert Infineon bereits Muster von DDR3-Speicherchips aus. DDR-SDRAM-Speicherchips und daraus aufgebaute Speichermodule nach JEDEC-DDR3-Spezifikation sind die erklärten Nachfolger der DDR2-Bauteile, die seit Mitte letzten Jahres (seit Einführung der Intel-Chipsätze i915/i925) im PC-Bereich zum Einsatz kommen. Während die DDR2-Bausteine aus Großserienproduktion noch 400 MHz Taktfrequenz erreichen sollen (DDR2-800/PC2-6400), sollen die DDR3-Chips bei dieser Taktfrequenz starten und schnell 533 MHz (DDR3-1066) erreichen, möglicherweise sogar bis zu 800 MHz (DDR3-1600).
Laut Infineon sieht die JEDEC-Spezifikation DDR3-Speicherchip-Kapazitäten zwischen 512 MBit und 8 GBit vor, wobei Infineon aber erwartet, dass zunächst die Chips mit 512 MBit und 1 GBit große Marktanteile erreichen, später dann 2-GBit-Chips -- daraus würden sich typische Speichermodule für Desktop-PCs und Notebooks mit maximal 4 GByte Kapazität herstellen lassen. Infineon hält auch die Herstellung von 4-GBit-Chips mit DDR3-Interface noch für möglich.
Der Speicherchip-Hersteller erwartet, dass "spät im Jahr 2006" die ersten Computer auf den Markt kommen, die für DDR3-SDRAM ausgelegt sind -- ob damit Desktop-Rechner gemeint sind oder Server, die mit Fully-Buffered-DIMMs aus DDR3-SDRAM-Chips arbeiten werden, ließ Infineon offen. DDR3-SDRAMs arbeiten mit einer Spannungsversorgung von 1,5 Volt, diese wurde also im Vergleich zu DDR2 (1,8 Volt) weiter abgesenkt, um den Leistungsbedarf zu minimieren (DDR-SDRAM: 2,5 Volt, SDR-SDRAM: 3,3 Volt). Auch Samsung hat bereits DDR3-SDRAM-Chips für das kommende Jahr angekündigt.
Die JEDEC hat mittlerweile die Spezifikation JESD79-2B veröffentlicht, die die Timing-Parameter auch für DDR2-677- und DDR2-800-Chips enthält. Demnach sollen Chips aus dem "Speed Bin" DDR2-800C mit den Parametern 4-4-4 (tCL - tRCD - tRP) laufen, wegen der Taktzyklusdauer von 2,5 Nanosekunden also mit nur noch 10 Nanosekunden Latenzzeit pro Parameter; diese Timings entsprechen denen heutiger PC3200/DDR400-Übertaktermodule mit 2,0-2-2-Parametern. Andererseits sind auch DDR2-800E-Chips mit langsamen 6-6-6-Parametern vorgesehen. Die schnellsten JEDEC-Spezifikationen für DDR400-Bausteine (DDR400A) sehen übrigens 2,5-3-3-Parameter vor.
