Hynix erwartet DDR4-SDRAM-Serienfertigung Ende 2012

Der weltweit zweitgrößte DRAM-Hersteller fertigt bereits Prototypen eines DDR4-SO-DIMMs mit 2 GByte Kapazität.

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Nach Weltmarktführer Samsung meldet nun auch der zweitgrößte DRAM-Hersteller Hynix die Fertigung von DDR4-SDRAM-Prototypen. Nach Firmenangaben wurden 2-Gigabit-Chips mit 1,2 Volt Betriebsspannung und 1,2 GHz Taktfrequenz hergestellt, also DDR4-2400-SDRAMs. Daraus wiederum hat Hynix ein SO-DIMM gelötet, das über seine 64 Nutzdatenleitungen insgesamt 19,2 Gigabyte an Daten pro Sekunde überträgt – das Normungsgremium JEDEC könnte für solche 1,2-GHz-Module also die Bezeichnung PC4-19200 vergeben.

Hynix weist voller Stolz darauf hin, dass die eigenen DDR4-2400-Chips schneller sind als die von Samsung angekündigten DDR4-2133-Bauelemente. Freilich erwartet auch Hynix den Beginn der Serienfertigung erst im zweiten Halbjahr 2012, und manche Auguren sehen DDR4 noch später kommen, weil DDR3 noch lange leben könnte.

Interessant ist ein auf den ersten Blick nebensächlicher Hinweis in der Hynix-Mitteilung, wonach das DDR4-SO-DIMM zusätzliche Kapazität für die Fehlerkorrektur per ECC besitzt – vermutlich also auch 72 Datensignalleitungen. Bisher müssen Standard-SO-DIMMs ohne ECC auskommen, das Normungsgremium JEDEC hat bloß ein 72-Bit/204-Pin-SO-DIMM für Sonderanwendungen spezifiziert. Dabei sind einige Anschlüsse im Vergleich zu normalen 204-Pin-Small-Outline-DIMMs anders belegt, sie würden also – anders als ECC-DIMMs normaler Bauform – nicht in Standard-Mainboards funktionieren. Unklar ist, ob Hynix damit einen Hinweis auf den Stand der DDR4-Spezifikation geben will, also ob die Branche möglicherweise auch ECC-SO-DIMMs plant.

Bekannt ist allerdings schon, dass die DDR4-Spezifikation ausdrücklich Chip-Stacks mit Through-Silicon Vias (TSVs) berücksichtigen soll. Bisherige Dual-Die-Packages (DDPs) aus SDRAM-Dice nutzen andere Stacking-Verfahren. Schon 2009 hatte Samsung ein 8-GBit-TSV-Stack aus vier 2-GBit-Dice beschrieben und im Dezember 2010 erste Muster eines 8-GByte-RDIMMs mit TSV-Technik. Letzere verspricht Vorteile bei Platzbedarf, Taktfrequenz und Kühlung, ist aber teurer als konventionelle Stacking-Verfahren. (ciw)