Kleine NAND-Flash-Speicherchips aus der 20-Nanometer-Fertigung

IM Flash Technologies, ein Joint Venture von Intel und Micron, hat mit der Herstellung besonders kleiner Multi-Level-Cell-(MLC-)Speicherchips im 20-nm-Fertigungsprozess begonnen. Sie speichern auf einer Fläche von nur 118 Quadratmillimetern 8 GByte und sind damit bei gleichem Fassungsvolumen gut 30 Prozent kleiner als bisherige MLC-NAND-Flashes aus der 25-Nanometer-Fertigung, die noch 167 Quadratmillimeter Siliziumfläche belegen.

Normalerweise steigt mit schrumpfender Größe der Speicherzelle auch deren Defektanfälligkeit. Micron betont jedoch, dass die neuen Chips "ähnlich" schnell und zuverlässig wie ihre Vorgänger arbeiten sollen. Für das aktuelle ClearNAND aus der 25-nm-Fertigung spezifiziert Micron allerdings auch nur noch 3.000 Löschzyklen, nachdem bei 34-nm- und 50-nm-Chips noch bis zu 10.000 Löschzyklen üblich waren.

Von den neuen Chips gibt es bislang nur Muster; die Serienfertigung soll jedoch schon in der zweiten Jahreshälfte anlaufen. Micron hofft, noch dieses Jahr die Kapazität auf 16 GByte verdoppeln zu können. Aus den einzelnen Dice lassen sich dann auch Multi-Die-Packages mit noch höheren Kapazitäten fertigen. Damit rücken SSDs mit bis zu 128 GByte in Reichweite, die kaum größer als eine Briefmarke sind und Tablets und Smartphones zu deutlich mehr Speicher verhelfen könnten.

Samsung hatte schon vor ziemlich genau einem Jahr ebenfalls MLC-NAND-Flashes der "20-nm-Klasse" angekündigt, allerdings mit geringer Kapazität (4 GByte) und ohne konkrete Angaben zur Packungsdichte und den minimalen Strukturbreiten zu machen. Micron spricht davon, dass es sich bei den eigenen 20-nm-Chips nun um die "industrieweit kleinsten" handelt. (boi)