Hochenergie-Ionen-Implantationsanlage für die Halbleiter-Herstellung

Forscher der Ruhr-Universität Bochum haben ein Ionenimplantierungssystem für die Chipfertigung entwickelt, das dank hoher Teilchenenergie tiefere Wafer-Schichten erreichen kann.

In Zusammenarbeit mit der Beratungsfirma Protop NTE sowie den Firmen Prema und Semikron konnte das Dynamitron-Tandem-Laboratorium (DTL/ZIL) der Ruhr-Uni die auf zu 4 Millionen Elektronenvolt beschleunigten Ionen bereits dazu einsetzen, die Spannungsfestigkeit von Leistungs-Halbleitern zu verbessern. Das unter anderem mit Fördermitteln vom BMBF vorangetriebene Verfahren soll nun über die Vermarktungs-Firma Rubitec auch anderen Chipfimen angeboten werden.

Der Tandem-Beschleuniger erzeugt zunächst einen (negativen) Ionenstrom über einen Plasma-Entladung oder durch Sputtering. Während der Beschleunigung der Ionen durch eine positive Spannung von bis zu 4 Millionen Volt in einer gasisolierten Kammer kollidieren die Ionen auf kontrollierte Weise mit Gas-Atomen und werden dadurch umgeladen. Die jetzt positiven Ionen nutzen die Beschleunigungsspannung des Hochfrequenz-Wechselfeldes also zweimal -- daher der Name Tandem-Beschleuniger. (ciw)