IEDM: Nanoröhrchen-Verstärkerschaltung
Forscher von Motorola und der Uni Stanford haben erstmals die Wechselstromverstärkung eines Nanoröhrchen-FET vermessen.
Auf der IEDM-Konferenz präsentieren Forscherteams von Motorola und von der Uni Stanford (um Professor H.-S. Philip Wong) erste Messungen an einer Verstärkerschaltung, in der ein Nanoröhrchen-Feldeffekttransistor (Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNFET) arbeitet. An ihrem Single-Wall-CNFET in Source-Schaltung konnten die Forscher eine Wechselstromverstärkung von etwa 11,5 dB messen. Der Messaufbau hat nach ihren Angaben die Transitfrequenz auf lediglich 560 kHz begrenzt, doch bis dahin konnten sie eine gute Übereinstimmung zwischen Simulation und Experiment feststellen. Laut Simulation sollte die Transitfrequenz des CNFET-Verstärkers bei 29 GHz und die Grenzfrequenz bei etwa 50 GHz liegen.
Siehe zum diesjährigen Halbleiterkongress IEDM auch:
- Großserien-Fertigungstechnik für ultradünne Chips
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- AMD und IBM berichten über ihren 45-Nanometer-Prozess
(ciw)
