Samsung stellt erstes GigaBit-DRAM für mobile Anwendungen vor
Monolitischer 1 GBit-Speicherchip senkt die Energieaufnahme um 30 Prozent.
Als erster Hersteller hat Samsung Electronics einen monolithischen GigaBit-Speicherchip für Low-Power-DDR herausgebracht, der gegenüber den aus zwei Einzelchips à 512 MBit zusammengesetzten Stack-Versionen gut 30 Prozent niedrigeren Energieverbrauch aufweisen soll. Die im 80-nm-Prozess hergestellten Silizium-Scheiben ("Dice") der Speicherchips sind zudem um 20 Prozent dünner, sodass man sie bequemer als bislang "stacken" kann, etwa zu 2-GBit-DRAMs oder zusammen mit Flash-Bausteinen in einem Multi-Chip-Module. Hinzu kommt außerdem eine neue Temperatursensor-Technik, die die Refresh-Zyklen im Self-Refresh während des Standby-Modus verlangsamen kann, was die Stromaufnahme im Standby ebenfalls um 30 Prozent verringert.
Die Volumenproduktion der neuen DRAMs ist für Sommer 2007 geplant, zu einem Zeitpunkt, ab dem die Nachfrage nach 1-GBit-DRAMs für mobile Anwendungen schon recht groß sein dürfte. (as)
