NOR-Speicher sollen sich schneller beschreiben lassen
Das japanische Startup-Unternehmen Genusion will NOR-Speicher entwickelt haben, die sich mit bis zu 100 MBit/s beschreiben lassen. Das entspricht der Hundertfachen Schreibgeschwindigkeit aktueller NOR-Bausteine.
Typische NOR-Flash-Speicher liefern beim Auslesen höhere Datentransferraten als solche von NAND-Typ, benötigen aber pro Bit mehr Siliziumfläche und sind deshalb deutlich teurer als NAND-Chips gleicher Kapazität. Außerdem lassen sich NOR-Flash-Zellen nicht so schnell beschreiben wie NAND-Flashes. Das japanische Entwicklungsunternehmen Genusion hat nun einen NOR-Flash-Prototypen vorgestellt, der eine Schreibgeschwindigkeit bis zu 100 MBit/s erzielen soll. Das Unternehmen hofft, die schnellen NOR-Speicher damit wieder als Alternative zu den inzwischen weiter verbreiteten NAND-Flashs etablieren zu können. Diese erzielen in verschiedenen Varianten, wie etwa Samsungs OneNAND, inzwischen allerdings schon Schreibraten bis zu 17 MByte/s.
Genusion will einen Weg gefunden haben, die Länge des in den NOR-Speichern verwendeten Floating Gate auf 50 Mikrometer zu verkürzen. In der Folge reduziere sich der benötigte Strom, um ein Bit zu schreiben, auf ein Hunderttausendstel. Daraus resultieren nach Darstellung von Genusion die höheren Schreibgeschwindigkeiten.
Der vorgestellte Prototyp-Chip verfügt über eine Speicherkapazität von 4 MByte, also 32 MBit. Zum Start der Serienfertigung 2008 will Genusion jedoch NOR-Chips mit 1 und 2 GByte anbieten. Da das japanische Unternehmen keine eigenen Produktionsanlagen besitzt, muss Genusion noch einen Auftragsfertiger für die Chips gewinnen. (map)
