Philips entwickelt nicht-flĂĽchtige Nanospeichertechnik
Schneller, nicht-flüchtiger Speicher als Ersatz für DRAM soll mit einer Entwicklung von Philips in greifbare Nähe rücken.
Ein durch eine elektrische Spannung gesteuerter Phasenübergang in Antimontellurid soll der Schlüssel zu neuartigen, billigen Speicherelementen sein, die die Anforderungen zukünftiger nanoelektronischer Siliziumchips an Geschwindigkeit, Speicherdichte, niedrige Spannung und geringe Leistungsaufnahme erfüllen könnten. Forscher von Philips Research stellen die Details hierzu online vorab sowie in der Aprilausgabe von Nature Materials vor.
Die grundsätzliche Idee, über einen Wechsel zwischen amorpher und kristalliner Phase eines Materials dessen Eigenschaften messbar zu beeinflussen, ist nicht neu: Unter anderem wird dieses Prinzip bei wiederbeschreibbaren DVDs genutzt, bei denen der mit Hilfe eines Lasers ausgelöste Wechsel zwischen den beiden Zuständen Unterschiede im Reflexionsvermögen bewirkt. Den Eindhovener Forschern ist es jetzt gelungen, für ihre neuartige "Line-Cell"-Speicherzelle ein Material zu entwickeln, bei dem ein Strom den Wechsel zwischen den beiden Phasen auslöst, der wiederum messbar den elektrischen Widerstand ändert. Anders als bei bisherigen Versuchen soll die hierfür notwendige elektrische Feldstärke niedrig genug sein, um dieses Verfahren auch in zukünftigen CMOS-Prozessen einsetzen zu können. Insbesondere soll die notwendige Feldstärke sinken, je kleiner die Strukturen werden.
Mit einer Schaltgeschwindigkeit von 30 Nanosekunden pro Wechsel arbeitet bereits der Prototyp erheblich schneller als Flash-Speicher. Nach Ansicht von Philips könnte dieser innerhalb eines CMOS-Prozesses einfach herzustellende Phasenübergangsspeicher daher für gewisse Anwendungen DRAM ersetzen. Dem heiligen Gral der Speicherindustrie, einem universellen Speicher, der die Geschwindigkeit von SRAM mit der Speicherdichte von DRAM und der Nicht-Flüchtigkeit von Flash vereinigt, sei man mit dieser Technik einen wesentlichen Schritt näher gekommen, meint Karen Attenborough, die Projektleiterin des Scalable-Unified-Memory-Projektes bei Philips Research. (anm)
