Silizium-Bipolartransistor erreicht 110 GHz Transitfrequenz
Forscher der Universität von Southampton haben den Frequenzrekord für Silizium-Bipolar-Transistoren verdoppelt.
Ein Forscherteam des Fachbereiches Electronics and Computer Science der University of Southampton verkündet einen neuen Rekordwert von 110 GHz für die Transitfrequenz (fT) von Silizium-Bipolartransistoren. Dem Team um Professor Peter Ashburn ist es zusammen mit ST Microelectronics gelungen, durch die präzise Implantierung von Fluor die Diffusion von eindotiertem Bor in die Basis von Silizium/Polysizium-Bipolartransistoren zu bremsen. Durch dieses optimierte Bor-Dotierungsprofil erzielten die Wissenschaftler eine schmalere Transistorbasis, die auch einen schnelleren Elektronentransfer ermöglicht, wodurch die Transitfrequenz des untersuchten Transistortyps auf den neuen Rekordwert stieg.
Silizium-Germanium-(SiGe-)Transistoren oder solche aus anderen (teuren) III-V-Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP) erreichen bereits wesentlich höhere Transitfrequenzen, ebenso wie CMOS-Transistoren mit nicht-planaren Strukturen. (ciw)
