MAGRAM speichert Daten dauerhaft

Die kanadische Firma Micromem berichtet von erfolgreichen Tests eines 8-Bit-MAGRAM-Bausteins (MAGnetic RAM). Anders als bei den üblichen Speicherchips wird der Zustand einer Speicherzelle hierbei nicht durch deren elektrische Ladung, sondern durch ihre magnetische Orientierung dargestellt. Das MAGRAM-Muster mit eine Kapazität von acht Bit sei an der Universität von Utah hergestellt worden. Der Baustein erhalte eingeschriebene Information ohne Spannungsversorgung und lasse sich gleichzeitig ähnlich schnell auslesen oder beschreiben wie DRAM-Speicherbausteine.

Grundsätzlich ist die Idee nicht neu, ferromagnetische Effekte zum Aufbau von nichtflüchtigem RAM zu nutzen. Es gibt zahlreiche Varianten dieser Technik (siehe c't 6/99, S. 148), zu denen auch MRAM gehört: Dieser Speichertyp nutzt die Magnetoresistenz bestimmter Stoffe aus. Ein MRAM mit 16 KBit Kapazität stellte Honeywell bereits vor zwei Jahren vor, wobei die Strahlungsunempfindlichkeit des Bausteins für den Einsatz in Weltraumsystemen von besonderem Interesse war.

MRAMs erlauben theoretisch eine höhere Packungsdichte der Speicherzellen und eine einfachere Fertigung als Silizium-Speicher-Chips. Diesen Vorteilen stehen allerdings zwei wichtige Nachteile gegenüber: Magnetisches Übersprechen zwischen den Speicherzellen begrenzt derzeit noch die maximale Packungsdichte, und die Zugriffsgeschwindigkeit ist nicht mit der konventioneller DRAMs vergleichbar. Zahlreiche internationale Unternehmen arbeiten an MRAMs, in Deutschland fördert das Forschungsministerium ein entsprechendes Projekt.

Micromem will nun insbesondere die Zugriffsgeschwindigkeit gesteigert haben. Leider berichtet das Unternehmen nicht, durch welche Technik dieser Fortschritt gelungen ist. Man verweist lediglich auf Patente von Richard M. Lienau, zu deren Verwertung man über das Tochterunternehmen Pageant berechtigt sei. Die Patentschriften schützen ein Verfahren zur Auswertung des Zustandes der magnetischen Speicherzellen durch sogenannte "dual-drain Hall effect FETs". Diese Technik könnte zwar die Zugriffsgeschwindigkeit des MAGRAM steigern, doch dürfte sich der Fertigungsprozess durch die Feldeffekttransistoren stark verkomplizieren. Micromem hebt dagegen besonders die vergleichsweise einfache Fertigung hervor: Das geprüfte Muster basiere auf einem einfachen Glassubstrat, zudem seien zur Herstellung "keine exotischen Materialien" notwendig gewesen. (ciw)