LED-Produktion deutlich preisgünstiger
Dank einer neuen Fertigungsmethode sollen sich Leuchtdioden um Größenordnungen preisgünstiger und effektiver als zuvor produzieren lassen. Das hat ein Forscherteam an der Universität Cambridge herausgefunden.
An der Universität Cambridge haben Forscher ein neues Fertigungsverfahren für Leuchtdioden (LEDs) entwickelt, das deren Herstellung auf Silizium-Wafern erlaubt. Dabei wird statt des teuren Wafer-Materials Saphir der billigere Stoff Galliumnitrid (GaN) verwendet.
Colin Humphreys, der Leiter des Forschungsprojekts, betont, die neue Methode mache die LED-Fertigung deutlich effizienter als bisher: Einerseits könne man nun eine größere Anzahl LEDs auf einmal herstellen; andererseits sei die Fehlerquote und damit die Zahl der nicht verkaufsfähigen Halbleiterbausteine niedriger. Im Vergleich zur Fertigung auf einem fünf Zentimeter großen Saphirwafer lassen sich auf dem deutlich kostengünstigeren, 15 cm großen Silizumwafer neunmal so viele LEDs züchten. Die Ausbeute würde auf das Zehnfache steigen. Zudem sei es denkbar, die Herstellungskosten auf ein Zehntel zu reduzieren.
Als Lichtquellen eingesetzte LED-Gruppen brauchen anders als Energiesparlampen, die mit Leuchtstoffröhren arbeiten, keine Vorheiz-Phase, sondern stellen die volle Lichtausbeute sofort zur Verfügung. Obendrein liegt die Lebensdauer der Halbleiter-Leuchten um den Faktor 10 höher als die von Energiesparlampen – und um den Faktor 100 über der Lebensdauer einer herkömmlichen Glühbirne. (uh)
