HP erfindet elektrischen Widerstand mit Gedächtnis
Der so genannte Memristor, ein variabler elektrischer Widerstand, der im stromlosen Zustand seine Größe beibehält, geisterte als theoretisches Konstrukt schon seit 37 Jahren durch die wissenschaftliche Literatur.
Der so genannte Memristor, ein variabler elektrischer Widerstand, der im stromlosen Zustand seine Größe beibehält, geisterte als theoretisches Konstrukt seit 1971 durch die wissenschaftliche Literatur. Forscher in den HP Labs haben nun erstmals ein mathematisches Modell und ein physisches Muster des Memristors gezeigt und darüber im Wissenschaftsmagazin Nature berichtet.
Der Begriff des Memristors stammt von dem Berkeley-Professor Leon Chua und wurde vor 37 Jahren erstmals in einer Veröffentlichung genannt. Chua beschrieb und benannte den Memristor als das vierte Basiselement elektronischer Schaltungen - neben Widerstand, Kapazität, Induktivität. Er weise Eigenschalten auf, die durch keine Kombination der übrigen drei erzeugt werden könnten. Auch andere Forscher haben den Effekt gelegentlich beobachtet, doch der Nachweis blieb schwierig, weil der Widerstand mit Gedächtnis erst im Bereich der Nanostrukturen zu bemerken ist.
Dem HP Senior Fellow R. Stanley Williams und seinen Co-Autoren Dmitri B. Strukov, Gregory S. Snider und Duncan R. Stewart gelang es im Labor, solche Nanostrukturen herzustellen, die alle theoretisch modellierten Eigenschaften des Memristors aufweisen. Die Entdeckung könnte den HP Labs zufolge bahnbrechende Bedeutung für Computertechnik erlangen. Memristoren könnten die heute üblichen flüchtigen Speicher (D-RAM) vollständig ersetzen und die Konstruktion von Rechnern mit weit höherer Energieffizienz ermöglichen, die nach dem Einschalten ohne Booten sofort betriebsbereit sind.
Siehe auch Das vierte Element bei Telepolis. (cp)
