Klassischer NAND-Speicher ist am Ende der Entwicklung angekommen
Eine weitere Verkleinerung herkömmlicher NAND-Technik macht laut Toshiba keinen Sinn mehr – die Entwickler fokussieren sich stattdessen auf 3D-Strukturen.
Toshiba hat die Weiterentwicklung von klassischen NAND-Zellen auf Eis gelegt: Wie das Unternehmen gegenüber dem US-Magazin ComputerWorld angab, sehe man derzeit keinen Sinn darin, herkömmliche Flash-Chips mit kleineren Strukturbreiten als derzeit 15 nm zu fertigen. Auch andere Firmen und Analysten gaben zu Protokoll, dass planare NAND-Chips wohl bei 15 nm enden werden.
Laut Toshiba sei es extrem aufwändig, die Strukturen weiter zu verkleinern. Dem Aufwand stehe aber kaum Nutzen entgegen: NAND-Speicher mit 3D-Strukturen in Charge-Trap-Technik versprechen deutlich höhere Steigerungsraten bei der Packungsdichte als die klassischen 2D-Chips in Floating-Gate-Bauweise. Zudem halten die 3D-Zellen länger durch und lassen sich schneller beschreiben. Man habe deshalb entschieden, die angedachte Portierung von 2D-NAND auf 13 nm auf Eis zu legen.
Samsung fertigt unter der Bezeichnung 3D-V-NAND bereits 24- und 32-lagige Flash-Chips, die unter anderem in der SSD 850 Pro als MLC (Multi Level Cell, 2 Bit pro Zelle) und in der 850 EVO als TLC (Triple Level Cell, 3 Bit pro Zelle) Verwendung finden.
Micron sagte gegenüber ComputerWorld, dass man ebenfalls nicht mehr an 2D-NAND forsche und sich stattdessen auf 3D-Strukturen konzentriere. Allerdings ist 3D-NAND dabei nicht die einzige Option: Gemeinsam mit Intel hat Micron kürzlich die Flash-Alternative 3D XPoint vorgestellt, deren Eigenschaften sich zwischen DRAM und NAND einordnen lassen. (mue)
