Neue 256-MBit-Speicherchips von Micron

Sowohl Single-Data-Rate- als auch Double-Data-Rate-SDRAM-Chips mit 256 Megabit Kapazität fertigt Micron jetzt in einem neuen 0,15-µm-Prozess. Dadurch werden diese Bauelemente kleiner als ihre bisher im 0,21- und 0,18-µm-Prozessen hergestellten Vorgänger, außerdem sinkt die Betriebsspannung und damit die Leistungsaufnahme.

SDR-SDRAM läuft mit 3,3 Volt Versorgungsspannung, DDR-SDRAM benötigt 2,5 Volt. Bei Speicherchips ist es durchaus üblich, intern mit einer geringeren als der externen Versorgungsspannung zu arbeiten; so enthalten etwa die in einem 0,17-µm-Prozess hergestellten Infineon-SDRAMs eine interne Spannungsregelung, die die Versorgungsspannung von 3,3 in 2,5 Volt umwandelt. Das senkt die Stromaufnahme und macht die Speicherchips weniger empfindlich für Spannungsschwankungen.

Micron bemustert die 256-MBit-SDR-SDRAM-Bausteine ab sofort in den Konfigurationen 64Mx4 (MT48LC64M4A2TG), 32Mx8 (MT48LC32M8A2TG) und 16Mx16 (MT48LC16M16A2TG); die DDR-SDRAM-Chips vom Typ 16Mx16 (MT46V16M16TG) sind ab sofort erhältlich. Aus vier 16Mx16-Chips lässt sich ein 128-MByte-Speichermodul zusammenbauen, das ja bekanntlich 64 Datenleitungen besitzt.

Muster von kompletten DIMMs mit den neuen Micron-Chips sollen erst im nächsten Quartal lieferbar sein. (ciw)