Globalfoundries 7LP: 7-nm-Chips 2018, zunächst ohne EUV
Der Chip-Auftragsfertiger Globalfoundries kündigt die FinFET-Fertigungsprozesse 7LP und FX-7 ASIC an, die 2018 in Serie laufen sollen – aber zunächst ohne EUV-Lithografie.
(Bild: Globalfoundries)
IBM, Globalfoundries und Samsung Semiconductor entwickeln gemeinsam Fertigungsprozesse für Chips mit 7- und 5-Nanometer-Strukturen. Globalfoundries hatte im September 2016 Fertigungsverfahren für 7-nm-FinFETs angekündigt und präzisiert diese Angebote jetzt: Chip-Entwicklern stehen jetzt die Tools für 7LP (Leading Performance) und FX-7 ASIC bereit. Erste Chip-Muster will Globalfoundries im ersten Halbjahr 2018 produzieren, die Serienfertigung soll dann in der zweiten Hälfte kommenden Jahres starten.
Zunächst ohne EUV
Die Fertigung der ersten 7LP-Chips erfolgt noch mit optischer Lithografie; Globalfoundries erwähnt für die Technik aber "EUV-compatibility": Man will auf EUV-Lithografie umstellen, sobald man die dazu nötigen Belichter mit Extrem-UV-Licht und die dazu passenden Masken im Griff hat.
Für 7LP verspricht Globalfoundries im Vergleich zur aktuellen 14-nm-FinFET-Technik über 40 Prozent mehr Performance bei gleicher Leistungsaufnahme oder bei gleicher Taktfrequenz um mehr als 60 Prozent niedrigere Leistungsaufnahme. Die Fertigungskosten pro Die sollen um bis zu 30 Prozent sinken.
(Bild: AMD)
Die 7LP-Chips können bis zu 17 Metallisierungslagen für die Verbindung der Funktionsblöcke untereinander besitzen. Bei 6T-SRAM bringt Globalfoundries über 17 Millionen Gates auf jedem Quadratmillimeter unter.
Für AMD Zen 2, Zen 3 und Navi
AMD-CTO Mark Papermaster hatte Mitte Mai Prozessoren mit der überarbeiteten Zen-Mikroarchitektur Zen 2 mit 7-nm-Technik angekündigt, aber auch schon Zen 3 und die 7-nm-GPU Navi als Nachfolgerin der bevorstehenden Vega. Läuft alles nach Plan bei AMD und Globalfoundries, dann könnten Zen-2-CPUs und Navi-GPUs also in etwas mehr als einem Jahr auf dem Markt sein.
IBM hat kürzlich einen ersten Musterchip mit 5-nm-"Nanosheet"-Transistoren vorgestellt; das ist eine Form von Gate-All-Around-(GAA-)FETs. Einen ersten Ausblick auf 7-nm-FinFETs mit EUV-Lithografie hatte IBM schon 2015 gewährt. (ciw)
