Samsung bringt DDR4-DRAM-Produktion auf Touren
Samsung erweitert die Fertigungskapazität für PC-Hauptspeicher mit einer zweiten Generation der "1X"-Nanometer-Technik und sieht sich für DDR5, GDDR6, LPDDR5 und HBM3 gerüstet.
Samsung DDR4-2666 K4A8G085WD-BCTD
(Bild: Samsung Semiconductor)
Die Preise für PC-Hauptspeichermodule bleiben wohl wegen knappen Angebots erst einmal hoch, aber immerhin erweitert Samsung nun die eigenen Produktionskapazitäten: Eine zweite Generation der Fertigungstechnik für DRAM-Chips der "10-Nanometer-Klasse" läuft jetzt. Mit 10-nm-Klasse meint Samsung, dass die kleinsten Strukturen der DDR4-SDRAMs zwischen 10 und 19 Nanometer messen.
Als erstes Volumenprodukt fertigt Samsung 8-Gigabit-Chips (1 GByte); sie sollen Taktfrequenzen von bis zu 1,8 GHz schaffen, also DDR4-3600. Derzeit sind aber sogar DIMMs mit DDR4-2666-Chips noch eher selten ohne Blechdeckel zu bekommen, also als nicht ĂĽbertaktete Standardmodule. AuĂźerdem sind noch keine Prozessoren auf dem Markt, bei denen DDR4-3200- oder gar DDR4-3600-RAM im Datenblatt steht.
Schneller "Ramp"
Stolz meldet Samsung, dass die Serienproduktion relativ rasch in Fahrt kam. Außerdem ist bei der Fertigungstechnik keine aufwändige EUV-Lithografie nötig. Damit sieht sich Samsung gut vorbereitet auf künftige DRAM-Typen wie DDR5, GDDR6, LPDDR5 und HBM3.
16-Gigabit-Chips erwähnt Samsung allerdings nicht. Mit den 8-GBit-Chips liegt das Kapazitätsmaximum für ungepufferte DDR4-(U)DIMMs weiterhin bei 16 GByte (zwei Ranks mit je 8 GByte). Damit sind in Notebooks und auf PC-Mainboards mit je zwei (SO-)DIMM-Slots weiterhin für höchstens 32 GByte möglich und in PCs mit vier Speichermodulen 64 GByte. Die DDR4-Spezifikation sieht bereits 16-GBit-Chips vor, die etwa AMDs Ryzen wohl auch ansteuern könnte. Angesichts der aktuellen Speicherpreise wollen aber ohnehin wohl nur wenige PC-Käufer noch mehr RAM bezahlen. (ciw)
