IBM entwickelt 210-GHz-Transistor

Nach US-Medienberichten ist es IBM-Wissenschaftlern gelungen, Silizium-Germanium-Transistoren herzustellen, die eine Transitfrequenz von 210 GHz haben sollen. Laut Wall Street Journal will der Chip-Riese mit dieser Technologie sogar in Bereiche jenseit der 300 GHz vorstoßen. Technische Einzelheiten zu den neuen Transistoren will IBM heute veröffentlichen. Die Transistoren sollen in drahtlosen Kommunikations-Schaltkreisen zum Einsatz kommen. Der Konzern forscht seit 1989 an Silizium-Germanium Bauteilen. Ende 1999 legte IBM heterobipolare Transitoren mit 90 GHz Transitfrequenz vor. (wst)