IBM präsentiert ersten "Power Amp" für Handys in SiGe-Technik

IBMs Mikroelektronik-Sparte stellte den nach eigenen Angaben ersten im Silizium-Germanium-BiCMOS-Prozess hergestellten Power Amplifier (PA) für Handys und andere drahtlose Geräte vor.

Der winzige Schaltkreis verstärkt die hochfrequenten Signale einer Sendestufe. Handys und Wireless-LAN-Geräte funken in Frequenzbereichen bis weit über 2 GHz, also im Bereich der Mikrowellen. Bei Transistoren und Verstärkern für so hohe Frequenzen haben die Entwickler mit hohen Verlustleistungen zu kämpfen, die besonders bei mobilen Endgeräten zu reduzierter Akku-Laufzeit führen. Die SiGe-PAs sollen nach Angaben von IBM kühler bleiben als vergleichbare Bauelemente aus dem III-V-Halbleiter Gallium-Arsenid (GaAs).

SiGe-Halbleiter gelten als eine der Schlüsselkomponenten für die kommenden 2.5- und 3G- Handy-Generationen. IBM ist in der SiGe-Technik seit Jahren aktiv, Intel investiert zurzeit erhebliche Summen in ein Werk für den von Motorola und dem IHP noch weiter optimierten SiGe:C-Prozess in Frankfurt/Oder. Doch auch andere Firmen bauen SiGe-Fertigungsstrecken auf, etwa Micrel und TSMC. (ciw)