Samsung produziert DDR5-RAM ab 2021 mit EUV-Technik
Die Speicherproduktion mit extrem-ultravioletter Belichtung testet Samsung bereits mit einer Million DDR4-Modulen.
(Bild: Samsung)
Samsung setzt auch bei seiner Speicherproduktion ab 2021 auf extrem-ultraviolette Belichtung (EUV), um Fertigungsschritte zu sparen und Strukturen zu verkleinern. Einen Testlauf mit DDR4-DRAM-Chips hat Samsung bereits abgeschlossen. Eine Millionen DDR4-Module mit diesen Bausteinen hat der Hersteller zu diesem Zweck von Partnern validieren lassen.
Die Serienproduktion beginnt laut Mitteilung kommendes Jahr mit DDR5- und LPDDR5-Chips. Beide laufen vorerst weiterhin mit Kapazitäten von 16 Gigabit vom Band – eine Erhöhung auf 32 Gigabit sieht Samsung derzeit nicht vor. Die Low-Power-Variante LPDDR5 ist für schmale Notebooks und High-End-Smartphones gedacht. Bei DDR4 verzichtet Samsung offenbar auf einen großangelegten EUV-Einsatz.
Vierte 10-nm-Klasse
Samsung kombiniert die EUV-Belichtung mit der vierten Fertigungsgeneration innerhalb der 10-Nanometer-Klasse, 1a genannt. In der Speicherproduktion haben sich bei den großen Herstellern solche kryptischen Prozessbezeichnungen eingebürgert, die noch weniger Ausschluss über die verwendeten Strukturbreiten geben als Mogelbezeichnungen wie 10 nm oder 7 nm (die tatsächlichen Strukturen sind deutlich größer, als die Zahlen suggerieren).
1a dürfte sich derweil Samsungs 10-nm-Prozess 10LPP annähern, allerdings um Produktionsschritte mit EUV erweitert. Der Hersteller spart sich dadurch beispielsweise die Mehrfachbelichtung derselben Silizium-Wafer (Multi-Patterning). Der 7-nm-Prozess 7LPP mit EUV-Technik ist noch moderner, kommt zunächst aber nur bei Prozessoren wie den eigenen Exynos-Systems-on-Chip (SoCs) zum Einsatz.
AMD könnte zusammen mit seinen Zen-4-Prozessoren die erste Desktop-Plattform mit DDR5-RAM bringen. Laut öffentlicher Roadmap sollen diese Ende 2021 beziehungsweise Anfang 2022 erscheinen.
| Datum | Meilensteine in Samsungs DRAM-Produktion der 10-nm-Klasse |
| 2021 (TBD) | 4. Gen 10-nm-Klasse (1a) mit EUV-Technik, 16 GBit DDR5/LPDDR5 Serienproduktion |
| März 2020 | 4. Gen 10-nm-Klasse (1a) mit EUV-Technik, DRAM-Entwicklung |
| September 2019 | 3. Gen 10-nm-Klasse (1z), 8 GBit DDR4 Serienproduktion |
| Juni 2019 | 2. Gen 10-nm-Klasse (1y) 12 GBit LPDDR5 Serienproduktion |
| März 2019 | 3. Gen 10-nm-Klasse (1z) 8 GBit DDR4 Entwicklung |
| November 2017 | 2. Gen 10-nm-Klasse (1y) 8 GBit DDR4 Serienproduktion |
| September 2016 | 1. Gen 10-nm-Klasse (1x) 16 GBit LPDDR4(X) Serienproduktion |
| Februar 2016 | 1. Gen 10-nm-Klasse (1x) 8 GBit DDR4 Serienproduktion |
(mma)
