Halbleiterfertigung: Intel investiert Milliarden an allen Fronten

Intel will die eigene Halbleiterfertigung mit Milliarden-Investitionen in neue Fertigungsstätten, Entwicklungszentren und Packaging-Standorte ausbauen. Fünf neue sogenannte Fabs zur Belichtung von Silizium-Wafern könnten in den kommenden Jahren entstehen, darunter zwei in Europa – mit Deutschland als möglichem Standort.

Den Bau zweier Fertigungsstätten im US-Staat Arizona für 20 Milliarden US-Dollar hat Intel im Rahmen der Firmenstrategie "Integrated Device Manufacturing (IDM) 2.0" bereits bestätigt. In den vergangenen Tagen traf CEO Pat Gelsinger darüber hinaus Politiker der EU und aus Deutschland, darunter Wirtschaftsminister Peter Altmaier und den bayerischen Ministerpräsidenten Markus Söder, sowie Firmenchefs, unter anderem von BMW und angeblich VW.

EU-Förderungen

Beim Essen mit EU-Binnenmarktkommissar Thierry Breton soll Gelsinger bereits über Bedingungen für einen Ausbau der europäischen Chipfertigung verhandelt haben. Schon im Vorfeld stellte Intels CEO Forderungen etwa nach Subventionen. Die FAZ berichtet von inoffiziellen Aussagen, dass der Bau von zwei je 10 Milliarden Euro teuren Halbleiterfertigungswerken zu 40 Prozent gefördert werden müsste. Das sei ein üblicher Subventionierungssatz in Asien, wo Chipauftragsfertiger TSMC die zurzeit modernsten Fertigungsanlagen betreibt. Dreistellige Milliardensummen sieht das Important Project of Common European Interest“ (IPCEI) zur Förderung der europäischen Halbleiterindustrie vor.

Deutschland käme wegen seiner zentralen Lage in Europa als Standort infrage; eine finale Entscheidung steht aber noch aus. Bisher betreibt Intel die einzige europäische Produktionsstätte im irischen Leixlip, die 14-Nanometer-Strukturen fertigen kann und derzeit für modernere Prozesse stark ausgebaut wird.

In Israel – Intels wichtigstem Produktions- und Entwicklungs-Hub außerhalb der USA – will die Firma laut einem Bericht des Nachrichtendienstes Reuters weitere 600 Millionen US-Dollar investieren. Für 400 Millionen US-Dollar soll der Hauptsitz der Automotive-Tochter Mobileye in Jerusalem zu einem Entwicklungscampus umgebaut werden, der Technologien für autonom fahrende Autos vorantreibt. Weitere 200 Millionen US-Dollar fließen in ein allgemeines Forschungszentrum in Haifa. Zudem läuft in Israel noch der Bau einer gut 10 Milliarden US-Dollar teuren Produktionsstätte.

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3D-Stacking auch für Auftraggeber

Rund 3,5 Milliarden US-Dollar lässt sich Intel derweil den Ausbau des Packaging-Standortes Rio Rancho im US-Staat New Mexico kosten. Das Unternehmen will dort künftig mehr Siliziumchips mit Trägern verheiraten, die zum Einsatz auf Mainboards notwendig sind. Zudem testet Intel dort fertige Halbleiterelemente (Test & Packaging).

Im Fokus stehen die Packaging-Technologien Foveros für das Übereinanderstapeln mehrerer Halbleiterelemente und Embedded Multi Die Interconnect Bridge (EMIB) zum Verbund mehrerer Chips auf einem Träger. Beide Optionen will Intel im Rahmen des IDM-2.0-Programms auch Drittfirmen zur Verfügung stellen, die Bausteine bei dem US-Unternehmen fertigen lassen.

(mma)