LPDDR5X-8533-RAM für High-End-Smartphones und schmale Notebooks

RAM-Bausteine für kompakte Mobilgeräte bekommen neue Geschwindigkeitsstufen: Mit LPDDR5X lassen sich die 100 GByte/s locker knacken.

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SDRAM-Wafer von Micron.

(Bild: Micron)

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Das Industriegremium JEDEC hat eine Erweiterung der Speicherspezifikation LPDDR5 verabschiedet. Die neue Ausbaustufe LPDDR5X schafft künftig Frequenzen von mehr als 4 GHz (LPDDR5X-8533) – eine 33-prozentige Steigerung vom bisherigen Maximum LPDDR5-6400. Hersteller wie Samsung, SK Hynix und Micron produzieren bisher allerdings maximal LPDDR5-5500-Bausteine in Serie. Der reale Unterschied zu bisherigen Mobilgeräten fällt also noch höher aus. Gedacht ist das RAM etwa für High-End-Smartphones, Tablets und dünne Notebooks.

Über ein 128 Bit breites Speicher-Interface mit vier Kanälen (Quad-Channel; LPDDR-Bausteine nutzen weniger Datenbahnen als DDR-Speicher) wäre mit LPDDR5X eine Übertragungsrate von fast 137 GByte/s möglich. Ein solches 128-Bit-Interface nutzt zum Beispiel Valves Handheld-Konsole Steam Deck, allerdings mit LPDDR5-5500-RAM. Smartphones begnügen sich üblicherweise mit 64 Datenbahnen. Die zusätzliche Übertragungsrate käme insbesondere integrierten Grafikeinheiten von Prozessoren zugute, die keinen auf Bandbreite getrimmten GDDR-RAM nutzen.

LPDDR5X-Bausteine werden genauso wie LPDDR5 und LPDDR4(X) direkt auf Platinen verlötet. Ohne störende Steckfassungen und durch kurze Signalwege lassen sich die hohen Taktfrequenzen erreichen. Im Gegenzug lässt sich LPDDR-RAM jeglicher Art nicht austauschen oder erweitern. LPDDR5X soll die Signalqualität verglichen mit bisherigem LPDDR5 nochmals verbessern.

Die beiden Speicherhersteller Samsung und Micron haben die Spezifikationserweiterung JESD209-5B für LPDDR5 mitentworfen und produzieren künftig Bausteine mit den höheren Taktfrequenzen. Synopsys hat ein Interface für LPDDR5X entwickelt, das andere Firmen in ihre Systems-on-Chip (SoCs) integrieren können. Erste Unternehmen haben dies laut eigenen Angaben bereits getan.

(mma)