IBM präsentiert kleinsten Transistor der Welt

Zum diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) bringt IBM einen Transistor mit nur vier bis acht Nanometer Gatelänge. Der Aufsatz mit dem Titel "Extreme Scaling with Ultra-thin Silicon Channel MOSFETs" soll auf der Tagung, die vom 9. bis 11. Dezember in San Francisco stattfindet, präsentiert werden. Die Gate-Länge bestimmt wesentlich die Schalteigenschaften des Transistors – insbesondere werden Transistoren mit kleinerer Gate-Länge schneller.

Nach Angaben von IBM ist der Transistor mit herkömmlichen lithografischen Methoden bei einer Belichtungs-Wellenlänge von 248 Nanometern mit Hilfe von so genannten "halo implants" hergestellt worden. Ob und wann dieser Transistor allerdings tatsächlich in die Fertigung kommt, ist nicht bekannt. Zunächst ging es den IBM-Forschern nur darum zu zeigen, dass sich ein Feldeffekttransistor auch mit solch kleinen Abmessungen realisieren lässt.

Zur IEDM im vergangenen Jahr hatten Intel und AMD CMOS-Transistoren mit einer Gate-Länge von etwa 15-Nanometern präsentiert, die ein Gate-Delay von bis zu 0,3 ps -- entsprechend einer Transitfrequenz von 3,33 Terahertz -- aufweisen. (wst)