4-GByte-DIMM auch von Micron

Der größte US-amerikanische Speicherhersteller Micron hat Muster von 4-GByte-Speichermodulen fertig gestellt und an Intel ausgeliefert. Damit sieht sich das Unternehmen aus Boise im US-Bundesstaat Idaho in einer führenden Marktposition.

Zwar hat die südkoreanische Samsung Electronics bereits im Januar ebenfalls ein aus 1-GBit-Chips aufgebautes 4-GByte-DIMM angekündigt, doch anscheinend hat Micron seine Prototypen früher zusammengelötet. Außerdem hat Micron schon ein Datenblatt online veröffentlicht, während sich bei Samsung noch keines findet. Allerdings hatte Samsung auch DDR333/PC2700-DIMMs (für 166 MHz) angekündigt, während in der Micron-Pressemeldung ausschließlich von 4-GByte-Modulen nach PC2100- und PC1600-Standard, also aus DDR266- und DDR200-Chips für 133 beziehungsweise 100 MHz Taktfrequenz, die Rede ist.

Die 4-GByte-DIMMs sind für Server gedacht und unterstützen ECC. Sie sind als Registered DIMM ausgeführt, besitzen also Pufferbausteine für die Adressleitungen. Außerdem handelt es sich um Stacked DIMMs, bei denen jeweils zwei 1-GBit-ICs übereinander sitzen; weitere Details erläutert die Meldung zu den Samsung-DIMMs.

Micron stellt seine 1-GBit-Chips in einem 0,11-Mikrometer-Prozess her, Samsung gibt 0,10 µm an. Das Micron-Datenblatt verrät einige interessante Details zum Leistungsbedarf des 4-GByte-Speichers: Demnach benötigt ein solches DIMM etwa zwischen 0,8 und 22 Watt Leistung. Der Spitzenwert tritt beim Burst-Modus-Lesezugriff mit einer Burst Length von 4 auf, wenn der Chipsatz im Interleaving-Modus auf alle vier internen Bänke der SDRAM-Chips zugreift. Der Mindest-Leistungsbedarf gilt für den Self-Refresh-Zustand ohne Zugriffe und bei abgeschaltetem Taktsignal. (ciw)