Motorolas MIGFET-Transistoren mit mehreren Steuerelektroden

Ein neuer Multiple Independent Gate Field Effect Transistor soll laut Motorola zukünftig kleinere und effizientere Halbleiter-Bauelemente ermöglichen.

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Ein neuer Multiple Independent Gate Field Effect Transistor soll laut Motorola zukünftig kleinere und effizientere Halbleiter-Bauelemente ermöglichen. Im Vergleich zu anderen neuen Transistor-Bauformen (etwa Double-Gate oder FinFET von IBM und AMD oder Intels Trigate) sind die einzelnen Gates eines MIGFET elektrisch voneinander isoliert. Das ermögliche entweder neuartige Funktionen oder die Integration von mehr Funktionen auf kleinerer Fläche (und damit auch höhere Schaltfrequenzen) oder die Einsparung von Steuerleistung.

Motorola will die neue Technik weiterentwickeln und in zahlreiche Produkte integrieren. Der Konzern machte aber keine konkreten Angaben darüber, zu welchem Zeitpunkt die praktische Anwendung zu erwarten ist. (ciw)