Infineon erweitert Entwicklungszentrum für Speicherprodukte

In den kommenden beiden Jahren will der Konzern in Dresden rund 120 Millionen Euro investieren.

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  • dpa

Der Chiphersteller Infineon baut seinen Dresdner Standort aus und erweitert mit Millionenaufwand sein Entwicklungszentrum für Speicherprodukte. In den kommenden beiden Jahren werden rund 120 Millionen Euro investiert, kündigte Johann Harter, Leiter der weltweiten Technologieentwicklung für Speicherprodukte bei Infineon, am Freitag in Dresden an. Nach Angaben von Harter ist Infineon im Gespräch über mögliche Förderungen durch die Stadt Dresden, Land, Bund und EU.

Mit dem Erweiterungsbau soll nach Unternehmensangaben noch Mitte des Jahres begonnen werden. Die Fertigstellung ist Anfang 2005 geplant. Insgesamt sollen 2300 Quadratmeter Reinraumfläche entstehen, dazu noch Büro- und Infrastrukturflächen. Räumlich ist eine Anbindung des Gebäudes an die Speicherfertigung geplant. 120 hoch qualifizierte neue Arbeitsplätze sollen entstehen. Mitte Januar hatte das Unternehmen die Schaffung von 400 neuen Stellen in Dresden angekündigt. Zum Jahresende werden an dem Standort 5800 Mitarbeiter beschäftigt sein.

"Das Silicon Saxony wächst weiter", sagte Wirtschaftsminister Martin Gillo (CDU). Der US-Halbleiterkonzern Advanced Micro Devices (AMD) hatte im November den Grundstein für eine zweite Fabrik in Dresden gelegt. Der Freistaat habe sich nicht nur als international anerkannter High-Tech-Produktionsstandort etabliert, sondern profiliere sich mehr und mehr als Top-Standort für Forschung und Entwicklung. Allein in Dresden und Umgebung sind rund 760 Unternehmen der Mikroelektronik, Informations- und Kommunikationstechnik tätig.

In dem erweiterten Zentrum sollen innovative Speicherkonzepte und Fertigungsprozesse auf 300-Millimeter-Siliziumscheiben und zur Herstellung künftiger Speichergenerationen entwickelt werden. Alle ein bis eineinhalb Jahre wird nach Unternehmensangaben eine neue Technologie in die Fertigung eingeführt, die kleinere Strukturen und eine höhere Zahl von Transistoren und Speicherzellen erlaubt. (dpa) / (anw)