Transistoren per Airbrush
Ein Forscherteam am US-amerikanischen National Institute of Standards and Technology (NIST) hat die Machbarkeit von großflächig verteilten Transistoren bewiesen, die in einer Art Airbrush-Verfahren aufgetragen werden.
Ein interdisziplinäres Forscherteam am US-amerikanischen National Institute of Standards and Technology (NIST, vergleichbar mit der deutschen PTB) hat die Machbarkeit von großflächig verteilten Transistoren bewiesen, die in einer Art Airbrush-Verfahren aufgetragen werden. Anwendungen sieht man beispielsweise bei Solarpanels und Displays.
Auch wenn das Verfahren noch alles andere als marktreif ist, soll es die Kosten großflächiger organischer Halbleiterstrukturen drastisch senken können, versprechen die Forscher – bis hin zum Einweg-Produkt. So etwas sucht die Industrie schon lange: Zwar sei es kein Problem, Millionen von Transistoren auf wenige Quadratmillimeter zu packen, ein billiges Verfahren für großflächige Strukturen fehle aber immer noch, so Ingenieur Calvin Chan aus der Projektgruppe. Vor allem die niedrigen Investitionen zur Herstellung würden das Verfahren gegenüber bisher bei organischen Halbleitern eingesetzten Druck- und Spin-Coating-Prozessen interessant machen.
Die Forscher benutzen ein organisches Halbleitermaterial namens Poly-3-Hexylthiophen, ein Polymer, das auch schon bei "gedruckten" Halbleitern angewendet wird. Trotz der Unebenheiten im Sprühauftrag arbeiten die Transistoren gut, weil der Transistoreffekt nur in unmittelbarer Nähe zum Untergrund (Substrat) zum Tragen kommt, so Chan. (cm)
