Forscher diskutieren über schnelle Transistoren

Die moderne Mikroelektronik wird in zehn Jahren nach Einschätzung von Fachleuten zur Hälfte auf der Silizium-Germanium-Technologie basieren. Derzeit sei es etwa ein Prozent, sagte der Vorsitzende des Organisationskomitees der 2. Weltkonferenz zu diesem Thema, Erich Kaspar, am Montag in Frankfurt (Oder). An ihr nehmen rund 200 Ingenieure und Wissenschaftler aus 15 Ländern teil. Es werden 116 Vorträge gehalten, von denen sechs aus dem Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) Frankfurt (Oder) kommen. Die Konferenz dauert bis Mittwoch.

Mit der Kombination von Silizium und Germanium entstünden neue Eigenschaften, sagte Kaspar (Universität Stuttgart). Beispielsweise werde das Material im Nanobereich dehnbar wie Gummiband. Es gehe aber nicht nur um superschnelle Chips. Es gehe auch darum, dass Prozessoren bei gleicher Geschwindigkeit verlustarmer funktionieren.

Das IHP, Mitveranstalter der Weltkonferenz, beschäftigt sich eigenen Angaben zufolge seit 1992 mit der Grundlagenforschung im Silizium-Germanium-Bereich. Auf dieser Basis hat das Institut erste Transistoren 1997 in den USA vorgestellt. Die vom Bund und dem Land Brandenburg finanzierte Einrichtung gehört zu den weltweit führenden Forschungsstätten auf diesem Gebiet.

Die erste Weltkonferenz dieser Art fand 2003 in Japan statt. Eine Folgekonferenz ist für 2006 geplant. Auf der Frankfurter Konferenz kommt ein Viertel der Beiträge aus der Industrie. (dpa) / (wst)