Nanoröhren-Transistoren: Neues Leben für Moore's Law
Forscher haben neue Möglichkeiten zur Steuerung der Halbleitereigenschaften von Nanoröhren-Transistoren mittels Magnetfeldern entwickelt.
Forscher der University of Illinois haben neue Resultate auf dem Gebiet der Nanoröhren-Transistoren vorgestellt. Die mit den Fullerenen verwandten, nur wenige Nanometer dicken Röhrchen aus Kohlenstoff bilden bei spezieller "Wicklung" Halbleiter und verbinden Source- und Drain-Elektrode. Beim Anlegen einer Gate-Spannung kann nun das Tunneln eines einzelnen Elektrons gesteuert werden.
Die Forschungsgruppe in Urbana hat in ihren Experimenten Mehrschicht-Nanoröhren mit 15 Nanometern Durchmesser und 600 Nanometern Länge in leitender und halbleitender Konfiguration eingesetzt. Die für Halbleiter charakteristische Bandlücke konnte mit einem bis zu 10 Tesla starken, parallel zu den Röhren verlaufenden Magnetfeld gesteuert werden. Das Verhalten entsprach dabei genau den theoretischen Vorhersagen. Diese neuen Single Electron Transistors (SET) könnten als neue Transistorgeneration die Gültigkeit des Moore'schen Gesetzes fortführen.
Siehe dazu in Telepolis: (mhe)
