CellularRAM für Mobilfunk-Geräte

Infineon und Micron unternehmen mit CellularRAM einen weiteren Anlauf, den Spagat zwischen Geschwindigkeit und Preis von Speicherchips zu schlagen. Im Laufe der nächsten zwölf Monate wollen die beiden Chipfirmen Pseudo-SRAMs (PSRAMs) nach dem neu zu schaffenden, einheitlichen CellularRAM-Standard auf den Markt bringen. Statt wie die meisten SRAM-Bausteine sechs Transistoren pro Speicherzelle brauchen die eng mit DRAMs verwandten Pseudo-SRAMs nur einen Transistor und einen Kondensator pro Speicher-Bit. Das reduziert den Wafer-Flächenbedarf und damit den Preis dieser Speicherbausteine ganz erheblich im Vergleich zu echten SRAMs; CellularRAM soll bei gleicher Kapazität nur etwa ein Zehntel der Fläche eines SRAM benötigen. Dabei soll CellularRAM pinkompatibel zu SRAM sein und wie dieses ohne Refresh-Zyklen arbeiten.

Die prinzipielle Idee eines SRAM-ähnlichen DRAM ist alles andere als neu und etwa in Form von 1T-SRAM, FCRAM, UtRAM und dem von Infineon und Micron gemeinsam entwickelten RLDRAM schon länger auf dem Markt. Während die vorgenannten Typen aber eher auf Hochgeschwindigkeits-Anwendungen wie Netzwerk-Router zielen, ist das CellularRAM mit maximal 108 MHz Taktfrequenz, 60 ns Latenzzeit und 210 MByte/s Datentransferrate für Mobilgeräte ausgelegt. Dort sind auch Eigenschaften wie niedrige Energieaufnahme wichtig. CellularRAM arbeitet mit 1,8 Volt Versorgungs- und 2,5 oder 3,0 Volt I/O-Spannung. Zunächst sind für Ende 2002 Kapazitäten von 32 MBit geplant, später folgen 16 und 64 MBit. (ciw)