Platform Conference: RLDRAM von Micron und Infineon

Reduced Latency DRAMs sollen die Lücke zwischen den schnellen statischen und den langsameren dynamischen Speicherchips schließen. Der von Micron und Infineon gemeinsam entwickelte Speichertyp RLDRAM soll mit Zykluszeiten von 20 Nanosekunden rund dreimal so schnell sein wie herkömmliche DRAMs. Sie nähern sich damit dem Tempo der aufwendigeren und teureren statischen RAMs, die für einen Zyklus knapp 10 Nanosekunden benötigen.

Dabei arbeiten RLDRAMs mit gewöhnlichen DRAM-Zellen, die Speicherbänke sind jedoch effizienter angeordnet und laufen mit bis zu 300 Megahertz Taktfrequenz. Das Design vergrößert und verteuert die Bausteine im Vergleich zu gewöhnlichen SDRAM oder SGRAM um etwa 50 Prozent, erklärte Micron-Ingenieur Doug Bolen auf der Platform Conference in San Jose (Kalifornien). Den Tempogewinn aber kalkulieren die Entwicklungspartner auf 200 Prozent.

Micron und Infineon sehen RLDRAMs als idealen Ersatz für statische RAMs in L3-Caches. Zielrichtung ist allerdings nicht der PC-Markt, wo der hohe Preis problematisch wäre, sondern Hochgeschwindigkeitsrouter und optische Kommunikationsgeräte. Die Speicherbauer fixieren Größen von 256 Megabit als erstes Produktionsziel. Schon ab Ende Januar wollen erste Kunden wie Cisco und Xilinx RLDRAMs in ihren Netzwerkprodukten einsetzen.

RLDRAM steht in Konkurrenz zu Produkten wie MoSys' 1T-SRAM, dem FastCycle DRAM (FCRAM) von Toshiba oder dem UtRAM von Samsung. (Erich Bonnert) / (ciw)