Samsung stellt neuen Speichertyp für UMTS-Geräte vor

Der südkoreanische Halbleitergigant Samsung hat einen neuen Speichertyp für den Einsatz in Mobilgeräten entwickelt: Das UtRAM soll SRAM-Chips ersetzen.

Handys der dritten Generation, etwa für UMTS-Netze, benötigen viel mehr internen Speicher als heutige Geräte. Die in PCs üblichen DRAMs aber verbraten für den Erhalt der gespeicherten Informationen zu viel Strom und werden in Handys deshalb nicht eingesetzt. Heutige Flash-Speicherchips wiederum sind zu langsam, um direkt als Hauptspeicher Verwendung zu finden. SRAM-Bausteine sind als stromsparende Low-Power-Versionen zwar verfügbar, wegen der höheren nötigen Anzahl von Bauelementen pro Speicherzelle (sechs Transistoren statt einem Transistor und einem Kondensator bei DRAM) aber zu aufwendig für größere Speicher. Bisher kommen in Handys meist Kombinationen aus Flash- und SRAM-Chips zum Einsatz, die es auch schon als Multichip-Packages gibt (MCP).

Das neue 32-MBit-UtRAM (Uni-Transistor-RAM mit 4 MByte Kapazität) nutzt nur einen Transitor pro Speicherzelle (wie DRAM), soll aber so schnell wie SRAM arbeiten und sich genauso adressieren lassen. Die Stromaufnahme beträgt maximal 30 mA und im Standby- und Power-Down-Modus nur 200 beziehungsweise 10 µA.

Das Samsung-UtRAM scheint damit insbesondere dem 1-T-SRAM der Firma MoSys eng verwandt zu sein. Andere Speicherhersteller entwickeln mit Hochdruck ähnliche Bauelemente wie MRAM, FRAM und FeRAM. Nach Informationen von US-Medien forscht auch Elpida zurzeit an SRAM-ähnlichen DRAMs. (ciw)