Chip-Fab an der Saar
Die US-Firma Wolfspeed will für über 2 Milliarden Euro ein Werk bei Saarlouis bauen, das effiziente Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid fertigt.
(Bild: cherezoff / Shutterstock.com)
Schalttransistoren und Dioden aus dem Halbleiter-Verbundmaterial Siliziumkarbid (Silicon Carbide/SiC) eignen sich für besonders effiziente Solarwechselrichter, Akkuladegeräte, Elektroautos und Netzteile. Die US-Firma Wolfspeed, die aus dem LED-Hersteller Cree hervorgegangen ist, will in Ensdorf bei Saarlouis eine neue "Fab" für solche SiC-Leistungshalbleiter bauen.
Dabei will Wolfspeed einerseits vom wachsenden deutschen und europäischen Markt für Elektroautos und regenerative Energien profitieren und andererseits von Subventionen, die der EU Chips Act sprudeln lässt.
Darüber hinaus kooperiert das Unternehmen mit dem deutschen Autozulieferer ZF Friedrichshafen, der bisher vor allem für Getriebe bekannt war, nun aber stark in die Elektromobilität investiert. ZF-Getriebe stecken zum Beispiel auch in Windkraftanlagen. ZF ist mit rund 10.000 Beschäftigen der größte Automobilarbeitgeber im Saarland.
(Bild: ZF Friedrichshafen)
Die Ansiedelung einer modernen Fab für effiziente Elektrotechnik am Standort eines alten Kohlekraftwerks hat Symbolcharakter. Zur Bekanntgabe der Investition reisten am 1. Februar außer Wolfspeed-Chef Gregg Lowe und der saarländischen Ministerpräsidentin Anke Rehlinger (SPD) auch Bundeskanzler Olaf Scholz und Wirtschaftsminister Robert Habeck an.
Spannungsfest dank großer Bandlücke
Siliziumkarbid (Silicon Carbide) ist wie etwa Galliumnitrid (GaN) ein sogenannter Wide-Bandgap-Halbleiter mit breitem Abstand zwischen Valenz- und Leitungsband. Das lässt sich etwa für SiC-MOSFETs nutzen, die starke Ströme mit hohen Frequenzen und niedrigen Verlusten schalten – bei Sperrspannungen bis zu 1700 Volt. Außerdem vertragen SiC-Transistoren hohe Temperaturen und leiten Wärme schnell ab. Dadurch können Spannungswandler kleiner gebaut werden und benötigen weniger Kühlung als mit anderen Halbleiterschaltern. Experten erwarten eine stark steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern.
Das Schneiden und Polieren von SiC-Wafern erfordert wegen der Härte des Materials – es kommt auch als Schleifmittel zum Einsatz – noch mehr Energie als die ohnehin schon aufwendige Fertigung normaler Siliziumwafer. Wolfspeed stellt SiC-Wafer selbst her und baut dafür auch neue Fabriken, vor allem in den USA. Das Werk in Ensdorf wird diese Wafer zu Bauelementen weiterverarbeiten.
Auch die großen europäischen Chiphersteller Infineon, STMicroelectronics und NXP bauen derzeit ihre SiC-Produktionskapazitäten mit Hochdruck aus. Die Vorgängerfirma von Wolfspeed, Cree, wurde bereits vor 35 Jahren gegründet und verfügt über langjährige SiC-Erfahrung. Wolfspeed hat einen hohen Marktanteil bei SiC-Bauelementen und produziert rund 60 Prozent aller SiC-Wafer, erzielt bisher aber keinen Gewinn. Die Investition in Ensdorf steht unter dem Vorbehalt der Genehmigung der Subventionen unter anderem im Rahmen des noch nicht endgültig verabschiedeten EU Chips Act.
(ciw)
