Größerer und schnellerer Hauptspeicher für Smartphones und Tablets
Samsung fertigt ab sofort LPDDR3-SDRAM-Chips mit 4 Gigabit Kapazität sowie daraus auch dünne Multi-Die-Packages mit bis zu 2 GByte.
Low-Power-(LP-)DDR-Speicher ist für akkubetriebene Mobilgeräte gedacht, die sehr lange im Standby-Modus laufen sollen. Bei LPDDR3-SDRAM beträgt die Leistungsaufnahme im "Self Refresh"-Schlafmodus nur ein Bruchteil dessen, was normaler DDR3-Speicher oder auch DDR3L-Chips gleicher Kapazität brauchen. So schaffen es Smartphones und Tablets im Idealfall, mehrere Tage oder gar Wochen lang auf eingehende Anrufe und Nachrichten zu warten, ohne den Akku ganz zu leeren.
Samsung fertigt jetzt erstmals LPDDR3-SDRAMs mit 4 Gigabit Speicherkapazität auf einem einzigen Die und stapelt bis zu vier Stück davon zu einem 0,8 Millimeter starken Stack. Letzterer fasst dann 2 GByte an Daten und kann beispielsweise in einem Package-on-Package-(PoP-)Gehäuse auf einem System-on-Chip sitzen.
Als maximale Taktfrequenz nennt Samsung 1066 MHz, also LPDDR3-2133. Damit ist der neue Speichertyp deutlich leistungsfähiger als LPDDR2-800 (400 MHz) oder LPDDR2-1066 (533 MHz).
Die 4-GBit-Chips produziert Samsung in einem Prozess der "20-Nanometer-Klasse", genauere Angaben verweigert das Unternehmen. (ciw)
