IDF: DDR3-SDRAM soll noch schneller werden

Auf dem Intel Developer Forum geht es auch um den Hauptspeicher kommender Desktop-PCs, Notebooks und Server. Das zurzeit noch ziemlich teure DDR3-SDRAM soll in etwa 18 Monaten – also im dritten Quartal 2009 – zum gleichen Preis wie der heute gängige DDR2-Hauptspeicher erhältlich sein. Mehr DDR3- als DDR2-Hauptspeicher zu verkaufen, erwartet die Branche aber erst 2010; Firmenvertreter sowohl von Hynix als auch von Micron stützten sich dabei auf Prognosen von iSuppli.

Intel und Hynix kündigten an, die vom Industriegremium JEDEC zurzeit für Taktfrequenzen von 400 bis 800 MHz spezifizierten DDR3-SDRAM-Chips später noch auf deutlich höhere Geschwindigkeiten bringen zu wollen – also in Bereiche, die zurzeit lediglich teure Übertakter-Module mit deutlich erhöhter Betriebsspannung erreichen. Außer DDR3-800 (PC3-6400, 400 MHz), DDR3-1066 (PC3-8500, 533 MHz), DDR3-1333 (PC3-10600, 667 MHz) und DDR3-1600 (PC3-12800, 800 MHz) sind noch DDR3-1866 (933 MHz) und DDR3-2133 (1066 MHz) geplant. Damit würde die Lebensdauer der DDR3-Technik deutlich verlängert. Möglicherweise lässt eine Nachfolgetechnik noch länger auf sich warten als geplant.

Auch sparsamere DDR3-SDRAMs kündigten einige Firmen an, die mit einer Betriebsspannung von 1,3 oder 1,35 statt der üblichen 1,5 Volt arbeiten sollen. Das wäre eine interessante Option für UMPCs und MIDs.

Für Notebooks kündigte Qimonda besonders sparsame DDR3-SO-DIMMs mit herkömmlicher Betriebsspannung von 1,5 Volt an; sie sollen bis zu 533 MHz Taktfrequenz erreichen. Das scheint auch die maximale reguläre RAM-Taktfrequenz des Speichercontrollers im Centrino-2-Chipsatz Cantiga zu sein; eigentlich waren 667 MHz (DDR3-1333) erwartet worden. Micron jedenfalls hat SO-DIMMs mit dieser maximalen Taktfrequenz und einer Kapazität von bis zu 4 GByte angekündigt. Damit würden sich Notebooks auf 8 GByte Hauptspeicher hochrüsten lassen.

Ungepufferte 4-GByte-(SO-)DIMMs lassen sich nur aus 2-GBit-Chips aufbauen, die bisher erst in homöopathischen Dosen lieferbar sind. Die Branche erwartet auch nicht, dass diese Bauelemente so schnell in den Massenmarkt vordringen; zurzeit findet gerade der Übergang von 512-MBit- auf 1-GBit-Chips als die am häufigsten gefertigten Bauelemente statt. Deshalb ist damit zu rechnen, dass 2-GBit-Chips noch längere Zeit erheblich teurer bleiben als zwei 1-GBit-Chips zusammen.

Unklar bleibt weiterhin die Zukunft der Fully-Buffered-(FB-)DIMMs für Server und Workstations. Zurzeit sind diese Module ausschließlich mit DDR2-Chips sowie Advanced Memory Buffers (AMB) der ersten Generation bestückt. Ursprünglich war vorgesehen, FB2-DIMMs aus DDR3-SDRAMs und so genannten AMB2-ICs zu fertigen; um letztere kümmert sich eine eigene Arbeitsgruppe bei der JEDEC. Doch bisher hat noch kein Speichermodulhersteller FB2-DIMMs (FBD2) angekündigt, obwohl Intel den nächsten, Ende 2008 erwarteten Itanium-Kern Tukwila mit zwei zweikanaligen FBD2-Speichercontrollern ausstatten will.

Möglicherweise kommt – wie es auch AMD ab 2009 mit G3MX plant – eine sogenannte Buffer-on-Board-(BoB-)Lösung, wobei die Pufferbausteine auf dem Mainboard sitzen und herkömmliche DIMMs ansteuern. Auch wenn mit DDR3-Chips 16-GByte-DIMMs möglich werden, geht es dabei um sehr viele Speicherriegel: Laut Intel kann jeder Integrated Memory Controller (IMC) des Tukwila bis zu 1 TByte RAM ansteuern.

Mehr zum IDF Shanghai 2008:

• Intel-Entwicklerforum: Schattenboxen in Shanghai
• Nehalem-Workstations und Blu-ray-Beschleunigung
• Im Zeichen der portablen Geräte
• Intels Atomzeitalter

(ciw)