IEDM: Mikromechanischer Speicherchip
Forscher von STMicroelectronics und der ETH Lausanne haben eine MEMS-Speicherzelle entwickelt.
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Ein Forscherteam von STMicroelectronics und eine Arbeitsgruppe um Professor Mihai Adrian Ionescu von der Eidgenössischen Technischen Hochschule Lausanne stellen auf der IEDM eine 1T-MEMS-Speicherzelle vor, bei der ein mikromechanischer Suspended-Gate- (SG-)MOSFET zum Einsatz kommt.
Die logische Funktion des 1T-MEMS-Speichers ähnelt der von Flash-Speicher: Die Zelle speichert elektrische Ladungen im isolierten Gate-Dielektrikum. Beim SG-MOSFET lädt das bewegliche Gate das Dielektrikum durch direkte Berührung auf.
Siehe zum diesjährigen Halbleiterkongress IEDM auch:
- Nanoröhrchen-Verstärkerschaltung
- Großserien-Fertigungstechnik für ultradünne Chips
- Chip-Stapel für noch mehr Speicherkapazität
- AMD und IBM berichten über ihren 45-Nanometer-Prozess
(ciw)
