ISSCC: FeRAM mit 32 MBit Speicherkapazität
Die Kooperation von Infineon und Toshiba trägt Früchte: Die Partner stellen auf der ISSCC einen ferroelektrischen Speicherchip mit 32 Megabit Kapazität vor.
Die Kooperation von Infineon und Toshiba trägt Früchte: Die Partner stellen auf der ISSCC einen ferroelektrischen Speicherchip mit 32 Megabit Kapazität vor. Damit stösst der in einem 0,20-µm-CMOS-Prozess hergestellte nichtflüchtige Speicherbaustein so langsam in die Kapazitäts-Größenordnungen aktueller Flash-Komponenten vor.
Eine Speicherzelle, die bei diesen "Chain-Cell"-FeRAMs aus einem Feldeffekt-Transistor (FET) und einem ferroelekrischen Kondensator in Paralleschaltung besteht, misst nur noch 1,875 Quadratmikrometer. Der gesamte 32-MBit-Baustein belegt 96 Quadratmillimeter, wozu auch eine deutliche Verkleinerung der Ansteuerschaltung beitrug. Diese benötigt 34 Prozent der Chipfläche.
Die Zykluszeit des FeRAMs beträgt 75 ns, die Zugriffszeit 50 ns; er läuft mit 2,5 oder 3,0 Volt Betriebsspannung. (ciw)
