Intel kooperiert mit Corning bei EUV-Lithografie-Masken
Intel entwickelt gemeinsam mit dem Spezialglas- und Material-Konzern Corning Fotomasken zur Belichtung von Halbleiterstrukturen mit Extrem-UV-Licht.
Intel verkündet einen nächsten Technik-Schritt auf dem Weg zur großserientauglichen EUV-Lithografie: Gemeinsam mit Corning entwickelt man Fotomasken aus einem Spezial-Glas mit sehr geringem Ausdehnungskoeffizienten.
Weil für die ferne UV-Strahlung (beziehungsweise weiche Röntgenstrahlung) mit nur 13,5 Nanometer Wellenlänge, die zur Belichtung feinster Halbleiterstrukturen mit weniger als 32 Nanometern Breite verwendet werden soll, kein durchsichtiges Material exisitiert, arbeiten EUV-Lithografie-Optiken als Spiegel. Dabei müssen die Belichtungsmasken extrem präzise gefertigt sein und dürfen sich auch bei großen Temperaturveränderungen nicht verformen. Die Corning-Sparte für Halbleiter-Optiken bietet für solche Zwecke das ULE Zero Expansion Glass an.
Intel will mit der Chip-Serienfertigung mit EUV-Lithografie bereits 2009 loslegen, die Technik soll direkt die 193-nm-Anlagen ablösen, die Intel sowohl für 65- als auch für 45-Nanometer-Bauteile noch nutzen will. Wenn Intel diese Pläne so einhalten kann, arbeitet sich das Unternehmen drei bis vier Jahre Vorsprung vor der International Technology Roadmap for Semiconductors heraus -- im Vergleich zu anderen Chip-Firmen ein Wettbewerbsvorteil bei den Produktionskosten und der Zahl der auf einem Die integrierbaren Funktionen.
Noch vor wenigen Jahren waren Experten von extrem hohen Fertigungskosten für EUV-Reflektions-Fotomasken ausgegangen, die das gesamte Verfahren unwirtschaftlich machen könnten. Intel behauptet, die Masken-Kosten seien vertretbar -- unter anderem hat das Unternehmen ein Verfahren entwickelt, kleine Defekte der Masken-Rohlinge mit einem Ionenstrahl-Verfahren zu beseitigen (5-MByte-PDF-Datei hier). (ciw)
