Intel und Micron bauen neue NAND-Flash-Fabrik in Singapur
Die Joint-Venture-Partner Intel und Micron wollen ihre Produktionskapazität für NAND-Flash-Speicherchips erweitern.
In etwa zwei Jahren wollen die Joint-Venture-Partner Intel und Micron ihre dann vierte Produktionsstätte für NAND-Flash-Speicherchips in Singapur in Betrieb nehmen. Zunächst wollen sie ein neues Joint Venture in Singapur gründen, das mit dem Bau der geplanten 300-Millmeter-Wafer-Fab im ersten Halbjahr 2007 beginnt.
Spekulationen über das neue NAND-Flash-Werk hatte es bereits im März gegeben. IM Flash Technologies fertigt seine Produkte zurzeit im Micron-Werk in Boise/Idaho und im ehemaligen Toshiba- beziehungsweise Dominion-Werk Manassas/Virginia. Das landschaftlich schön gelegene 300-mm-Werk in Lehi/Utah, das Micron einige Zeit lang nur als Entwicklungs-Fab nutzte und dann in das Joint Venture eingebracht hat, soll Anfang 2007 die Produktion aufnehmen.
In Singapur sollen zunächst 50-Nanometer-NAND-Flashes entstehen; Speicherbausteine mit dieser Strukturbreite und bis zu 4 GBit Kapazität produziert IM Flash bereits in Muster-Stückzahlen, im nächsten Jahr soll die Großserienfertigung anlaufen. (ciw)
