Micron: Neue SDRAM-Generation 1-Beta weiter ohne EUV-Lithografie
Kleinere Speicherbausteine mit höherer Effizienz: Micron kündigt seine 1-Beta-Fertigungsgeneration mit LPDDR5X-8500-RAM an, später folgt unter anderem DDR5.
Wafer-Shot aus Microns 1b-Vorserienproduktion.
(Bild: Micron)
Micron ist der erste Speicherhersteller, der Speicherbausteine aus der 1-Beta-Fertigungsgeneration produziert und bereits an Partner verteilt. 1-Beta (1b) löst 1-Alpha (1a) ab und verwendet eine verbesserte Fertigungstechnik – wie üblich nennen Hersteller keine genaueren Daten. Micron spricht jetzt nicht mehr von der 10-Nanometer-Klasse wie bei den vier vorangegangen Generationen.
Die neuen Speicherchips sollen eine um gut 35 Prozent erhöhte Transistordichte aufweisen, bleiben aber vorerst bei einer Kapazität von 16 Gbit. Beim Vergleich stromsparender LPDDR5X-Bausteine mit mehreren gestapelten Chips – primär für Smartphones und flache Notebooks – arbeiten die 1b-Varianten laut Herstellerangaben rund 15 Prozent sparsamer als bisherige 1a-Chips.
Dabei rechnet Micron allerdings die von der JEDEC weiterentwickelte Funktion Enhanced Dynamic Voltage and Frequency Acaling Extensions Core (eDVFSC) ein. Damit passen die Speicherbausteine ihre Taktfrequenz und die Spannung dynamisch an, um bei geringem Bandbreitenbedarf die Leistungsaufnahme zu reduzieren. Die neuen LPDDR5X-Bausteine aus der 1b-Generation verdoppeln das Taktfenster von 1600 auf 3200 Mbit/s, was mit einer größeren Spannungsreduktion einhergeht.
(Bild: Micron)
Weiterhin ohne EUV-Lithografie
Eine Änderung, die die Weltmarktführer Samsung und SK Hynix schon bei 1a vornahmen, lässt Micron auch bei 1b weiter aus: Die SDRAM-Chips entstehen ohne extrem-ultraviolette (EUV-)Belichtungstechnik, stattdessen setzt Micron auf weiterentwickelte Mehrfachbelichtungen (Multi-Patterning) mit bisheriger Immersionslithografie. Mehrfachbelichtungen erhöhen zwar die Fertigungskomplexität und sind anfälliger für Defekte, dafür benötigt der Hersteller keine teuren EUV-Lithografie-Systeme.
Eigentlich wollte Micron EUV-Technik mit der 1b-Generation einführen, wie eine Ingenieurin in einem Vorab-Briefing einräumte. Anfang 2021 erwartete die Firma noch, dass sich die Kosten für die EUV-Einführung ab 2023 amortisieren würden. Nun verzögert sie sich um mindestens eine weitere Generation. Insbesondere die eingebrochene Nachfrage nach Speicher dürften große Investitionen in die Chipfertigung verzögern.
Bisher bemustert Micron Gerätehersteller mit LPDDR5X-Speicher aus der 1b-Generation. Die Serienproduktion sei bereit und dürfte 2023 anlaufen. Weitere Produkte sollen dann folgen, etwa DDR5-Bausteine und High-Bandwidth-Memory-Stapel (HBM) für GPU-Beschleuniger.
(mma)
