Numonyx und Samsung kooperieren bei Phasenübergangsspeicher

Die Konkurrenten Numonyx – ein Joint Venture von Intel und STMicroelectronics – und Samsung kooperieren bei künftigen Phasenübergangsspeichern: Diese Phase Change Memories, für die Numonyx die Bezeichung PCM nutzt, und Samsung PRAM, wollen beide Hersteller künftig in zueinander kompatiblen Bauformen anbieten, nämlich mit einer Low-Power-DDR2-Schnittstelle (LPDDR2). Diese soll auch bei künftigen NOR-Flashes mit hoher Kapazität zum Einsatz kommen.

Anders als NOR- oder NAND-Flashes sollen sich PCM-Speicherchips (auch) bitweise beschreiben lassen, außerdem sollen sie schneller arbeiten. Numonyx und Samsung haben beide Lizenzabkommen mit der Firma des PCM-Erfinders Stanford Ovshinsky abgeschlossen; unter anderem arbeiten auch Elpida und Macronix an PCMs.

PCMs könnten zunächst NOR-Flashes ersetzen, die heute beispielsweise in Smartphones zum Einsatz kommen, oft auch in Form von Stack-Chips im Verbund mit LPDDR(2)-SDRAMs. Nach Berichten von EETimes und iSuppli steckt etwa im neuen iPhone 3GS ein Multi-Chip-Package von Numonyx, welches vermutlich ein 128-MBit-NOR-Flash-Die (16 MByte) und ein 512-MBit-DRAM-Die (64 MByte, von Elpida) kombiniert.

Seit rund einem Jahr fertigt Numonyx einen einzigen PCM-Chip in Musterstückzahlen, dabei handelt es sich um ein 128-MBit/90-nm-Die. Samsung hatte PRAMs mit höherer Kapazität schon mehrfach angekündigt und scheint nun allmählich die Produktion aufnehmen zu wollen. (ciw)