Samsung verspricht PRAM-Chips für 2008
In rund zwei Jahren sollen erste Chips mit Phasenwechsel-Speicherzellen zu haben sein, und sie könnten die bisher üblichen NOR-Flash-Bausteine ablösen.
An Phase-change Random Access Memory (PRAM) tüftelt Samsung schon seit einigen Jahren, nun hat der Speicherchip-Weltmarktführer einen 512-Megabit-Prototyp vorgestellt. Einen 256-MBit-Vorgänger hatten die Samsung-Entwickler bereits im Februar anlässlich der ISSCC präsentiert.
PRAM soll zahlreiche Vorteile bieten im Vergleich zu NOR-Flash-Speicher: Schreibzugriffe beispielsweise gelingen sehr viel schneller, weil man bei PRAM nicht zuvor erst größere Datenblöcke löschen muss. Von PRAM-Chips erwartet Samsung außerdem eine etwa 10-fach höhere Zahl an Schreib-/Lese-Zyklen. Gleichzeitig benötigt PRAM bei der Herstellung rund 20 Prozess-Schritte weniger als NOR-Flash und kommt auch noch mit weniger Chip-Fläche aus; eine Zelle belegt lediglich 0,0467 Quadratmikrometer, unter anderem weil sich benachbarte Zellen nicht gegenseitig stören. Im Vergleich zu den von Samsung hergestellten NOR-Flash-Zellen sollen PRAM-Zellen nur halb so groß sein. Dazu trägt auch der Einsatz vertikal orientierter Dioden und dreidimensionaler Transistoren bei, wie sie Samsung auch bei seinen DRAM-Zellen verwendet.
Laut Samsung soll die Großserienfertigung von PRAMs "irgendwann im Jahr 2008" anlaufen; potenziell könne die neue Speicherchip-Technik im Laufe der nächsten zehn Jahre NOR-Flash ablösen. (ciw)
