Renesas will schon bald 65-nm-MRAMs produzieren
Gemeinsam mit dem MRAM-Spezialisten Grandis aus den USA will die japanische Firma Renesas schnelle MRAM-Zellen entwickeln und schon bald auf den Markt bringen.
Der japanische Hersteller Renesas – die gemeinsame Halbleiter-Sparte von Hitachi und Mitsubishi – arbeitet seit Jahren an der MRAM-Speichertechnik. Nun sollen "in naher Zukunft" 65-Nanometer-Chips mit MRAM-Speicherzellen auf den Markt kommen, die eine spezielle Schreib-Technik der kleinen US-Firma Grandis nutzen: Dank Spin Torque Transfer (STT) sollen sich MRAM-Felder sehr viel schneller beschreiben lassen als mit dem bisher von Renesas entwickelten Verfahren, bei dem sich der magnetische Zustand der Speicherzelle durch ein Magnetfeld ändert, welches ein fließender Strom in einer Leiterbahn erzeugt.
Die MRAM-Technik nutzt magnetische Effekte (Spintronic) zur nichtflüchtigen Speicherung von Daten, wobei die Speicherzellen gleichzeitig noch sehr kompakt ausfallen und sich schnell auslesen und beschreiben lassen sollen. Mit diesen Eigenschaften kombinieren MRAM-Bausteine die guten Eigenschaften von DRAM- und Flash-Speicherchips und könnten deshalb vor allem für den Einsatz in mobilen Digitalgeräten (Handys, PDAs) interessant sein. Doch bisher sind trotz zahlreicher Ankündigungen und Fortschritte nur MRAMs mit ziemlich geringer Speicherkapazität auf dem Markt. Weil auch die Entwicklung bei DRAM und Flash weiter sehr schnell voranschreitet, ist die Kombination der Eigenschaften tatsächlich produktionsreifer MRAMs bisher nur für wenige Anwendungsnischen interessant. Renesas will MRAM-Technik beispielsweise auf Systems-on-Chips (SoC) einsetzen.
Ein wesentliches Problem ist die im Vergleich zur Auslese-Geschwindigkeit bisher geringe Programmierfrequenz der MRAMs: Mit der herkömmlichen Technik kommt man offenbar kaum über 100 MHz hinaus. Das ist zwar bei der aktuellen DRAM-Technik auch nicht viel anders – Verfahren wie DDR, DDR2, DDR3 oder XDR beschleunigen das Interface, aber nicht die eigentlichen Speicherzellen – schwächt aber die Konkurrenzfähigkeit: Bei DRAM-Chips lassen sich durch geschickte Organisation der Speicherfelder, optimierten Ansteuerung der Schreib-/Lese-Leitungen und viele weitere Tricks die Datentransferraten vor allem bei Burst-Transfers gewaltig steigern.
Auch der deutsche Hersteller Singulus hat übrigens schon mit Grandis kooperiert: Die auf Anlagen zur Fertigung von CD-, DVD- und BluRay-Medien spezialisierte Firma sieht Chancen, ähnliche Maschinen auch zur Produktion von MRAM-Chips zu verkaufen. (ciw)
