IBM und Infineon verkünden Fortschritte bei MRAM

Die gemeinsame Forschungsgruppe von IBM und Infineon präsentiert ihre Fortschritte bei MRAM-Chips. Anlässlich der ab heute in Japan stattfindenden VLSI-Symposien stellen die Partner einen 128-Kilobit-MRAM-Kern vor, der sich in einem 0,18-µm-Fertigungsprozess herstellen lässt. Das macht die angeblich bisher kleinsten MRAM-Zellen mit einer Fläche von nur noch 1,4 Quadtratmikrometern möglich.

Magnetic Random Access Memory soll ab dem Jahr 2005 in Serienstückzahlen und mit herkömmlichem Speicher konkurrenzfähiger Kapazität gefertigt werden. IBM und Infineon bündeln ihre Entwicklung einer wirtschaftlichen Fertigungstechnik seit kurzem in dem Jointventure Altis Semiconductor, dessen rund 2200 Mitarbeiter in Corbeil-Essonnes, also im Herzen von "Old Europe" nahe Paris, arbeiten. Auf einer speziellen IBM-Webseite finden sich weitere Informationen und Grafiken zur Funktion von MRAM.

Motorola kündigte bereits vor zwei Jahren ein 256-KBit-MRAM an. Weltweit entwickeln zahlreiche Halbleiterfirmen mit Hochdruck MRAM-Chips, die die Vorteile der heute üblichen Flash-EEPROM- und (S)DRAM-Bausteine vereinen sollen: Sie halten eingespeicherte Informationen auch ohne Stromversorgung und arbeiten gleichzeitig sehr schnell. Mit MRAM-ICs bestückte Computer ließen sich daher schnell hochfahren, außerdem wäre die Technik für Mobilgeräte prädestiniert. Noch ist aber offen, wann MRAMs bei den Herstellungskosten und der Speicherkapazität mit DRAMs mithalten können. Denn auch deren Entwicklung geht rasant weiter, im Laufe dieses Jahres wird der Beginn der Großserienfertigung von 1-Gigabit-Chips erwartet; längst sind Mobile-RAMs mit besonders geringem Energiebedarf auf dem Markt. (ciw)