Samsung: NAND-Flash-Chips mit 64 Gigabit Kapazität ab 2009
Satte 8 GByte soll jeder einzelne der NAND-Flash-Speicherchips speichern, die Samsung ab 2009 in einem 30-Nanometer-Fertigungsprozess produzieren will.
Ab 2009 sollen Speicherkarten dank 30-Nanometer-Fertigungstechnik eine Kapazität von bis zu 128 Gigabyte erreichen. Dann will Samsung NAND-Flash-Speicherchips mit bis zu 64 GBit (also 8 GByte) Kapazität fertigen können, von denen sich maximal 16 auf einer Speicherkarte zusammenschalten lassen.
Zurzeit fertigen außer Samsung auch Firmen wie SanDisk/Toshiba und IM Flash Technologies (Intel/Micron) NAND-Flash-Chips mit maximal 16 GBit Kapazität mit 52- und 50-nm-Fertigungstechnik. Samsung bietet sowohl Single-(SLC-) als auch Multi-Level-Cell-(MLC-)Chips dieser Kapazität an, bei IM Flash gibt es monolithische 16-GBit-Chips nur als MLC, aber 16-GBit-Bauelemente auch als Quad Die Package (QDP) aus vier 4-GBit-SLC-Chips. Samsung hingegen offeriert auch 32-GBit-SLC-Bauelemente als Dual-Die-Package (DDP) sowie QDPs mit vier 16-GBit-MLC-Chips als MoviNAND.
Im nächsten Jahr dürfte Samsung die 40-Nanometer-Fertigungstechnik zur Serienfertigung von 32-GBit-Chips mit Charge-Trap-Flash-(CTF-)Speicherzellen einsetzen. Bei den jetzt für 2009 angekündigten 64-GBit-MLC-Chips trägt nicht nur die 30-nm-Fertigungstechnik zur Kapazitätssteigerung bei, sondern Samsung will auch eine neue Technik namens Self-Aligned Double Patterning Technology (SaDPT) anwenden. Dabei werden zunächst gröbere Strukturen auf dem Die erzeugt und in einem weiteren Strukturierungsschritt freigehaltene Lücken mit feineren Funktionselementen gefüllt. Samsung will auch einen SLC-Chip mit 32-GBit-Kapazität in 30-nm-SaDPT fertigen. (ciw)
