Samsung fertigt erste DDR333-Speicherchips

Der koreanische Halbleiterriese Samsung Electronics stellt die ersten Speicherchips nach DDR333-Standard vor.

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Der koreanische Halbleiterriese Samsung Electronics stellt erste Speicherchips nach DDR333-Standard vor. Die 128- und 256-Megabit-Bausteine fertigt das Unternehmen mit Strukturbreiten von nur 0,15 µm. Auch wegen dieser verkleinerten Strukturen eignen sich die neuen DRAMs für Taktfrequenzen bis zu 166 MHz. Man nennt solche Chips auch DDR333-SDRAMs, weil das Double-Data-Rate-Verfahren pro Taktschritt zwei Datenpakete über die Leitungen schickt.

Der DDR333-Standard ist der nächste logische Schritt auf der Double-Data-Rate-Roadmap für PC-Hauptspeicher, die die Herstellervereinigung Advanced Memory International (AMI2) und die JEDEC entwickeln. Aus DDR333-Chips lassen sich PC2700-Module bauen, die wie ihre Vorgänger PC1600 und PC2100 mit 184 Pins ausgestattet sind. Die taiwanische Firma SiS hat bereits den Chipsatz SiS645 für den Pentium-4-Prozessor angekündigt, der PC2700-Module unterstützen soll. VIA plant ebenfalls Chipsätze, die auch mit diesem Speichertyp umgehen können.

Wie groß die Vorteile von PC2700-Modulen im Vergleich zu PC2100-DIMMs in der Praxis ausfallen werden, ist allerdings fraglich. Zwar schafft PC2700 eine theoretische maximale Datentransferrate von 2,7 GByte/s, also 29 Prozent mehr als die 2,1 GByte/s von PC2100, doch haben viele Tests in letzter Zeit bewiesen, dass sich derartige Geschwindigkeitsunterschiede beim Hauptspeicher in der Praxis kaum niederschlagen. Außerdem werden DDR333-Chips zunächst nur mit einer CAS Latency (CL) von 2,5 Taktzyklen verfügbar sein; lediglich bei 133 MHz vertragen sie den schnelleren CL2-Modus.

Samsung liefert bereits Muster der drei neuen Bausteine, einem 128-MBit-Chip in 8Mx16-Organisation und zwei 256-MBit-Chips in 32Mx8 und 64Mx4, letztere für Registered DIMMs. Auch für Grafikkarten sollen sich die SDRAMs eignen.

Nach eigenen Angaben erreichte Samsung im ersten Halbjahr 2001 bei DDR-SDRAM-Bausteinen einen Marktanteil von 40 Prozent, zurzeit entfallen fünf Prozent der Gesamt-Speicherproduktion der Südkoreaner auf diesen Typ. Bis zum Jahresende sollen es 20 Prozent werden. Auch bei Rambus-DRAM sieht sich Samsung als Marktführer, das Unternehmen spricht von etwa 80 Prozent Marktanteil. (ciw)