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In rund zwei Jahren sollen erste Chips mit Phasenwechsel-Speicherzellen zu haben sein, und sie könnten die bisher üblichen NOR-Flash-Bausteine ablösen.

An Phase-change Random Access Memory (PRAM) tüftelt Samsung schon seit einigen Jahren [1], nun hat der Speicherchip-Weltmarktführer einen 512-Megabit-Prototyp vorgestellt. Einen 256-MBit-Vorgänger hatten die Samsung-Entwickler bereits im Februar anlässlich der ISSCC präsentiert [2].

PRAM soll zahlreiche Vorteile bieten im Vergleich zu NOR-Flash-Speicher [3]: Schreibzugriffe beispielsweise gelingen sehr viel schneller, weil man bei PRAM nicht zuvor erst größere Datenblöcke löschen muss. Von PRAM-Chips erwartet Samsung außerdem eine etwa 10-fach höhere Zahl an Schreib-/Lese-Zyklen. Gleichzeitig benötigt PRAM bei der Herstellung rund 20 Prozess-Schritte weniger als NOR-Flash und kommt auch noch mit weniger Chip-Fläche aus; eine Zelle belegt lediglich 0,0467 Quadratmikrometer, unter anderem weil sich benachbarte Zellen nicht gegenseitig stören. Im Vergleich zu den von Samsung hergestellten NOR-Flash-Zellen sollen PRAM-Zellen nur halb so groß sein. Dazu trägt auch der Einsatz vertikal orientierter Dioden und dreidimensionaler Transistoren bei, wie sie Samsung auch bei [4] seinen DRAM [5]-Zellen verwendet.

Laut Samsung soll die Großserienfertigung von PRAMs "irgendwann im Jahr 2008" anlaufen; potenziell könne die neue Speicherchip-Technik im Laufe der nächsten zehn Jahre NOR-Flash ablösen. (ciw [6])

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https://www.heise.de/-161015

Links in diesem Artikel:
[1] https://www.heise.de/news/VLSI-Symposium-Viele-neue-M-RAM-Typen-100668.html
[2] https://www.heise.de/news/ISSCC-Alternative-Festwertspeicher-machen-Fortschritte-173329.html
[3] http://www.heise.de/glossar/entry/Flash-Speicher-397321.html
[4] https://www.heise.de/news/Samsung-kuendigt-70-Nanometer-Speicherchips-an-137993.html
[5] http://www.heise.de/glossar/entry/Dynamic-Random-Access-Memory-395584.html
[6] mailto:ciw@ct.de

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