ISSCC: Alternative Festwertspeicher machen Fortschritte
Die Firmen Saifun und Macronix haben auf der Halbleiterkonferenz in San Francisco den ersten Flash-Speicher vorgestellt, der vier Bits pro Zelle speichert.
Die israelische Chip-Schmiede Saifun (ein Infineon-Kooperationspartner) hat auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) gemeinsam mit der taiwanischen Firma Macronix einen Flash-Speicher vorgestellt, der vier Bits pro Zelle speichert. Der Chip nutzt die NROM-Technik, bei der Ladungen in zwei separaten Bereichen je in einem "ONO-Dielectric-Gate" gespeichert werden können. Im 4-Bit-Modus speichert er zwei Bits pro Bereich. Die Hersteller AMD und Intel produzieren mit MirrorBit und StrataFlash bisher nur Multi-Level-Cell-(MLC-)NOR-Chips, die zwei Bit pro Zelle speichern. MLC-Zellen gibt es auch in NAND-Ausführung.
Der in San Francisco präsentierte Baustein hat eine Kapazität von 1 GBit. Er wird in einem 130-Nanometer-NROM-Prozess hergestellt und belegt 85 Quadratmillimeter Siliziumfläche. Samsung hat den Prototyp eines PRAM-Chip (Phase-change RAM) mit einer Kapazität von 256 MBit auf 79 Quadratmillimetern vorgestellt. Die nichtflüchtigen PRAMs sind bei den Koreanern seit etwa fünf Jahren in Entwicklung und speichern bislang noch deutlich weniger als Flash-Speicher. Allerdings lassen sie sich wesentlich schneller beschreiben und lesen als NOR- oder NAND-Flashes. Daten lassen sich direkt überschreiben, während ein herkömmliches Flash zuvor blockweise gelöscht werden muss (Erase-Write-Zyklus).
Den Schreibdurchsatz gibt Samsung mit 0,48 MByte/s an – gut das Doppelte eines NOR-Flash. Mit einem Parallel-Schreibzugriff soll diese Datentransferrate in der nächsten Generation versechzehnfacht werden.
Siehe zum diesjährigen Halbleiterkongress ISSCC auch:
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(Erich Bonnert) / (anw)