Stabile Nano-Transistoren bei NEC

NECs Nano-Forschung macht Fortschritte: Die Japaner vermeldeten auf der in Tokio abgehaltenen "International Conference on Solid State Devices and Materials", einen stabilen Prozess zur Herstellung von integrierten Nanoröhrchen-Transistoren gefunden zu haben. NECs CNT-Transistoren (CNT = Carbon Nano Tube) sollen durch verringerte parasitäre Innenwiderstände eine zwanzigmal größere Verstärkung und eine deutlich höhere Elektronenbeweglichkeit als herkömmliche Silizium-MOS-Feldeffekttransistoren aufweisen. Die Fertigung beruht auf der selektiven Züchtung von Nanoröhrchen auf mit Katalysatormaterial beschichteten Silizium-Substraten: Die in einem Verdampfungsprozess wachsenden Röhrchen entstehen nur dort, wo der Katalysator aufgebracht wurde. Das soll erstmals die Herstellung hochintegrierter, ultraschneller Nano-Schaltkeise ermöglichen – ein Ziel, das bis 2010 erreicht sein soll. (cm)